- 질량 종류, 질량측정방법, 몰질량 측정연구, 회전곡선활용과 은하질량연구, 끓는점과 어는점이용 분자 질량측정연구, 용수철이용 부가질량측정연구
k : SQRT m+ m a over k ∴ m a = ( Tw / T a ) m - m3. 결과부체의 부가질량은 단면적이 커질수록 증가됨을 보인다.참고문헌김정구 외 편저, 기초 물리학, 학원사, 1986김광훈, 전기회로 기초 실험, 제71112장 저항측정과 전류전압 법칙, 동일 출판사대한화학회, 표준일반화학 실험 제5개정판, 천문각조희영박승재, 과학론과 과학교육, 교육과학사최재성, 분석화학, 동화기술, 1997Erwin Kreyszig, Kreyszig 공업수학下, 범한서적
- 물리학실험 사례(열과 온도,선운동량), 물리학실험 사례(전기저항,운동법칙), 물리학실험 사례(진동원리,모의태풍의 민감도,주파수응답) 분석
실험에 사용한 바닥 면이 중력에 수평이 되지 않아 중력에 의한 가속/감속이 있었음. 즉 위치에너지가 관여함.(9) 바닥면의 굴곡으로 인하여 공이 직선운동을 방해함으로 운동에너지/선운동량 등에 변화가 발생함.(10) 정확하게 운동에너지가 측정되지 않았음.Ⅲ. 물리학실험 사례3(전기저항)1. 실험 목적저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항값에
- 결정의 전기 전도도
저항값과 함께 서미스터의 특징을 대표하는 양이다. 아래 그림은 25。C에서 5kΩ의 저항을 가진 B=4100??K인 서미스터의 저항 온도관계이다.4. 실험장비 Si wafer n-type(100), Au, Cu, thermocouple, thermoter, hot plate, 4point probe5. 실험방법1. Si wafer와 Si waferdnl에 Al alloy thin film을 증착한 시편을 준비한다.2. 먼저 hot plate의 온도를 올려서 Cu thin film이 증착된 시편을 각각의 온도에서의 전기전도도를 측정하여 이론치와 비교한다.3. 그 다음 불순물이 도핑된 불순물반도
- [부산대] 등전위선과 전기장
일반물리학실험 보고서등전위선과 전기장학과 : 물리학과학번 : 이름 : 공동실험자 : 담당교수 : 담당조교 : 실험날짜 : 2017년 10월 12일제출날짜 : 2017년 11월 13일실험목적주어진 전극 배치에 대해 등전위선과 전기력선을 그려봄으로써 전위와 전기장의 개념을 이해한다.2. 실험 원리점전하 q와 q사이에는 쿨롱 법칙에 의해서 다음과 같은 힘이 작용한다.vecF =K qq prime over r ^2 hatr (20.1)여기서 K는 상수로 8.99 TIMES10 ^ 9Nm ^ 2/C ^ 2이고,
- [기초물리학실험] 실험 제4장
저항 10kΩ, 두께 60μm 폭 280mm 길이 600mm 폴리에틸렌 필름 2장, 폭 250mm 길이 500mm 주방용 알루미늄 포일 2장, 외경 60mm 길이 1m 튜부형 PVC 보빈, 덕 테이프, 300mm*400mm*1mm 알루미늄판 2장, 300mm*400mm*1mm 아크릴판 3장, DPST 스위치, 빵판, 점퍼전선, 점퍼코드, 삼각자, 버니어 캘리퍼, Vernier사 전압프로브, Vernier사 전류 프로브, LabPro, Logger Pro 3, PC.(3) 실험 과정, 분석 및 질문의 답실험 4A. 커패시터 일반1) 5가지 종류의 상용 커패시터를 준비하고 외형을 사진으로 기록
등록일 / 수정일
hwp (아래아한글2002)
1
2
3
4
5
