[반도체] Plasma Etching Technology

  • 등록일 / 수정일
  • 페이지 / 형식
  • 자료평가
  • 구매가격
  • 2010.04.26 / 2019.12.24
  • 22페이지 / fileicon ppt (파워포인트 2003)
  • 평가한 분이 없습니다. (구매금액의 3%지급)
  • 2,300원
다운로드장바구니
Naver Naver로그인 Kakao Kakao로그인
최대 20페이지까지 미리보기 서비스를 제공합니다.
자료평가하면 구매금액의 3%지급!
이전큰이미지 다음큰이미지
목차
1. Dry Etch
-Plasma
-Etching equipment
-Dry Etching process

2. Dry Etch application to semiconductor

3.Summary
본문내용
1. Dry Etch; PR 등의 보호막으로 가려져 있지 않은 부위의 막질 제거
2. Ashing; PR 제거
3. Plasma Nitridation; 얇은 산화막 등 유전막의 특성 개선을 위한 표면 처리
4. Plasma Oxidation; Transistor의 특성 개선을 위한 표면 처리
5. 유전막 PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition); SiON 등의
유전막 증착
6. Barrier Metal PE-CVD; TiN 등의 Barrier Metal 증착
7. Si treatment; Contact 저항 등의 개선을 위한 표면 처리
8. Plasma Doping; Counter-doping, Shallow Junction 형성 등을 위한 이온 주입


⇒ 반도체 제조 공정의 50% 이상이 플라즈마를 활용한 공정임.


Electrostatic E-Field
Coupling of ion energy & ion flux
high pressure operation
low ion density (~1E9/cm3)


Inductive E-Field
Decoupling of ion energy & ion flux
High density ion flux (~1E11/cm3)
low pressure operation



참고문헌
S. Wolf, and R.N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era volume 1. 2nd ed, Lattice press, California, 2000.

Richard C. Jaeger, Introduction to microelectronic fabrication volume 5. 2nd ed, (Eds:Gerold W. Neudeck,and Robert F. Pierret), Prentice Hall, New Jersey, 2002.

Sami Franssila, Introduction to mirco fabrication, Wiley, West Sussex, 2004.

2007 삼성전자 반도체 소자 수업 자료

자료평가
    아직 평가한 내용이 없습니다.
회원 추천자료
  • lcd 이론 및 제조공정
  • ETCH- 반응성 gas 입자의 plasma 상태 를 이용하여 식각하고자 하는 막질을 화학적, 물리적 반응으로 막질을 식각하는 방법식각 방법은 Gas Plasma가 사용 되는 건식 식각과 화학 용액을 이용하는 습식 식각 방법Key Technology Trends Display TrendsThinner technology High resolutionLow power & GreenNext-generation display – OLED, Flexible ,3DLCD TechnologyMobile LCD - Touch screen Thinner technology BLU Edge-BLUOptical components LED / OLED (White)‏Square light sourceMovies resolution *앞으

  • WAFER 스크리빙 및 전처리
  • wafer cleaning technology (Werner Kern, ed.),NoyesPublications, Park Ridge,NJ,19932. L.Pauling,The Nature of Chemical Bond,3rd ed. ,Cornell University Press,Ithaca,1960.3. T.Ohmi,Megasonic Exited Ozonized Water for Cleaning of Silicon Surfaces,J.Electrochem.Soc.,Vol.144, 1997목 차1. 실험목적2. 이론◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성습식공정에서 파티클 제거 메커니즘1) Oxidation and etching reaction2) Particle adhesion and removal3. 기구 및 시약4. 실험방법Wafer의 ScribingSi Wafer의 전처리 방법.5. 결과 및 토의6. Reference

  • [나노기술] Nano Lithography
  • technology/70nmgate을 창출하고 있다. NumeriTech의 phase-shifting technology과 248unDUV stepper를 이용하고 있는 MIT의 링컨연구소는 0.025 미크론게이트를 가진 기능성 CMOS 트랜지스터를 제조하였다.Note: 양산단계의 노광장비는 최초 IC가 출하되기 1년 전에 나온다고 보면된다.Silicon Valley Group는 Micrascan-V 193nm scanner의 경우 0.07 미크론 isolated line 및 0.10 미크론 nested line을 고가의 PSM을 사용하지 않고도pattering이 가능하다고 말한다. 지난해 ASML은 9개의 반도체회사들이 참여

  • [반도체] 반도체환경기술의 국내외 최근동향 및 향후 기술개발방향
  • 반도체 환경분야 기술개발과제Project명TaskPFC 방출감축∙ 저비용의 PFC처리장치 선택∙ PFC회수기술의 Fab내 처리가능성 평가∙ 낮은 GWP 대체재 평가∙ PFC감축전략 실현을 위한 비용모델 개발Water 사용최적화∙ Fab에서의 세정공정수행과 Water 사용효율의 평가∙ CMP공정 최적화 및 Water Recycle, Reuse, Reclamation∙ UPW Simulator의 평가Energy 감축∙ 설계와 사용상의 Energy사용차이의 축소∙ Dry Etch와 Thermal Tool에서의 에너지 소비평가∙ Energy효율의 최적화

  • 이종재료의 접합기술과 강도 평가의 사례
  • Technology, Vol. 57, pp. 197-203.(15) Chan C. M., 1993, In Polymer Surface Modification and Characterization, Hanser/Gardner Publications Inc., Cincinnati, Ohio, pp. 237-239.(16) Tissington B., Pollard G. & Ward I. M., 1992, A study of the impact behaviour of ultra-high-modulus polyethylene fiber composites, Compos. Sci. Technol., Vol. 44, pp. 197-208.(17) Woods D. W., Hine P. J. & Ward I. M., 1994, The impact properties of hybrid composites reinforced with high-modulus polyethylene fibers and glass fibers, Compos. Sci. Technol., Vol. 52, pp. 397-405.(18) Jang B. Z., Chen L. C., Hwa

오늘 본 자료 더보기
  • 오늘 본 자료가 없습니다.
  • 저작권 관련 사항 정보 및 게시물 내용의 진실성에 대하여 레포트샵은 보증하지 아니하며, 해당 정보 및 게시물의 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다. 위 정보 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재·배포는 금지됩니다. 저작권침해, 명예훼손 등 분쟁요소 발견시 고객센터에 신고해 주시기 바랍니다.
    사업자등록번호 220-06-55095 대표.신현웅 주소.서울시 서초구 방배로10길 18, 402호 대표전화.02-539-9392
    개인정보책임자.박정아 통신판매업신고번호 제2017-서울서초-1806호 이메일 help@reportshop.co.kr
    copyright (c) 2003 reoprtshop. steel All reserved.