[공학]바이폴라 접합 트랜지스터

바이폴라 트랜지스터의 고압 대용량의 특성을 살리기 위하여 고안된 전력 제어소자로서 최근 대용량 전력제어 소자로 많이 사용되고 있다. (그림 2)에 IGBT의 내부 구조를 나타내었다. 그림 2 IGBT 내부 구조5. 사이리스터 (Thyristor)내부의 구조는 NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터를 결합 시켜 놓은 것같이 구성되어 있어 PNPN 형의 접합 구조를 가지고 있다. 이것은 대용량의 전류를 제어 할 수 있기 때문에 대용량 전력변환기에 많이 사용되고 있고 최근에

트랜지스터는 진공관의 기능을 대치하는 수준이었다. 그러나 그 후 몇 개의 트랜지스터를 한 개의 기판에 모아놓는 집적회로가 개발되면서 컴퓨터를 비롯한 전자제품의 소형화 , 경량화 , 다기능화가 급속히 이루어졌다.오늘날의 반도체 집적 회로는 수억개의 트랜지스터를 하나의 칩 위에 담고 있다. 반도체 집적회로 (IC) 의 개념은 1952년 영욱의 듀머에 의해 제안되었고 , 1958년 텍사스 인스트루먼트 (TI) 사에 의해 최초로 개발되었다. 반도체공학의

공정 (a) SiO2위에 증착된 다결정 Si (b) 채널 길이를 결정하기 위 한 마스크로서 Si 게이트를 이용한 소스와 드레인 확산 (c) 후속공정 후 다결정 Si 게이트와 상호연결 영역은 SiO2로 덮는다. 다음 소스와 드레인 영역은 Al금속으 로 접촉시키고, Al 상호연결은 매립된 다결정 Si의 상호연결 위를 지나가게 할 수 있다.참고문헌1. 최초 반도체 소자김종성 역도서출판 대웅2. 반도체의 동료들泉弘志한진3. 고체전자공학곽계달, 김성준, 전국진 공역喜重堂

접합의 물리적 동작에 대한 소개로 종결될 것이다. pn 접합은 다이오드뿐 아니라, 다음 장에서 공부하게 될 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하여, 다른 많은 고체 소자들의 기본이 된다. 따라서, pn 접합을 이해하는 것은 현대 전자공학을 공부하는 데 절대 필요한 것이다. 간단하기는 하지만, 이 장에서 제시될 (pn 접합에 관한) 정성적인 고찰은 소자들(다이오드와 트랜지스터)을 전자 회로 설계에 이용하는 데 요구되는 충분한 기초 지식을 제공할 것이

트랜지스터 생산기술로 정착시키기 위한 시대였다고 할 수 있다. 1960년대와 1970년대는 1950년대 말 개발된 직접회로 개념이 발전되고 집적회로의 제품이 증가한 시기였다. 회로를 소형화함으로써 시스템의 신뢰성을 증가시키려는 요구는 집적회로의 촉진제 역할을 하였다. 오늘날 전자공학에서 중요한 요소인 MOSFET는 1960년대에 실질적으로 완성되었다. 우리에게 친숙한 MOSFET 구조는 1960년대에 한국인 강대원과 아탈라에 의해 발표되었으며 1963년에 CMOS