[실험] 반도체소자의 특성 곡선

반도체 재료에 대해서 저항치와 온도의 관계를 실측하면 엄밀히 직선이 되지 않는다. 따라서 정밀한 온도특성이 필요한 경우에는 저항-온도특성으로 다음 식과 같이 나타내는 것이 적당하다.R = A×T^‐c exp(D/T)여기에서 A,C 및 D는 재료조성에 의존하는 정수로 , 그 중에는 C는 양 또는 음의 값을 나타낸다.또, thermistor의 온도계수 α는 다음 식에 의해서 정의된다.α = (1/R)×(dR/dT) = - B/T^2그림 . 저항-온도 특성따라서 그림에 나타내는 온도계수 곡선 α는

소자로서, 각 세그먼트의 선은 한 줄당 하나씩 미니 발광 다이오드 칩으로 되어 있어서 빛이 금속표면에 반사되면 표면의 플라스틱 세그먼트가 빛나게 된다. 각 발광 다이오드는 디코더 IC에 의해 제어되어 숫자의 형태로 빛나게 되는데, 예를 들어 ABCDG에 전류가 흐르면 “3”을 표시하게 된다.실험 과정실험장비 및 재료전원공급장치2대 : 15V용1대, 다른하나는 적어도 1-15V까지 가변가능기기 : 디지털 멀티미터, VOM저항기 : 1W270Ω 2개다이오드 : 1N914(

실험은 브래드보드를 이용하여 회로를 만들어보고, 정류다이오드와 제너다이오드를 사용하여 각각의 순방향과 역방향의 측정전류, 측정전압을 측정해보았다. 이때 정류다이오드는 pn접합 다이오드로써 교류전압을 직류전압으로 변환해주고, 제너다이어드는 누설전류가 적으며, 역전류가 빠르게 증가하여 항복전압에 도달한다는 특징을 가지고 있다. 실험결과 값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선에 대한 분석을

실험제 1절 연구의 목적제 2절 Monomer 합성제 3절 Polymerization제 4절 소자제작제 5장 결과 및 고찰제 1절 Monomer 합성 분석제 2절 Polymer 중합 분석제 3절 광학적 특성평가제 4절 전기화학적 특성평가제 5절 OPV 소자 특성평가제 6절 Morphology 특성평가제 6장 결 론제 7장 참고문헌표 목 차표 1. 단결정 실리콘 태양전지의 종류표 2. 다결정 실리콘 태양전지의 종류표 3. 벌크형 실리콘 태양전지와 박막형 실리콘 태양전지의 비교표 4. 소재별 태양전지 모

Rumyantsev, Sergey L. Levinshtein, M. E.- Thin film technology handbook (공)저: Aicha Elshabini-Riad,Fred D. Barlow chapter5 p.8-9Deep depletion관련- TITLE Comprehensive study on the deep depletion capacitance-voltage behavior for metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin oxides, Cheng, Jen-Yuan; Huang, Chiao-Ti; Hwu, Jenn–Gwo, Journal of Applied Physics ,Oct2009 Volume 106 Issue 7 Pages 목차Ⅰ. 실험 목적Ⅱ. 시편의 제작Ⅲ. I-V 그래프 측정1. 두께에 따른 의 I-V graphⅣ. C-V 그래프 측정1. SiO2 주파수에 따른 C-V graphⅤ. 참고