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다이오드의 역방향 전류는 가해지는 역전압의 값에 의하지 않고 거의 일정한 값을 갖는데 전압이 높아지면, 어느 전압값에서 역방향전류가 값자기 증가하여 동저항이 매우 작아진다. 이러한 현상을 항복현상이라 하며 이때의 전압을 항복 전압이라고 한다. 이것을 제너 현상과 전자 아벨란치 현상에
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제너 다이오드: 4.7V(±10%), 0.5 또는 1W▶가변 저항기: 500Ω , 5W▶캐패시터: 0.1㎌, 0.22㎌▶직류전원: +15V(50㎃), -15V(50㎃)▶직류전원:안정화된 0에서 15V,50㎃이상,가변가능▶저항:1000Ω(±1%),2000Ω(±1%),4999Ω(±1%)(0.25W)470Ω(±10%),10,000Ω(±10%),100,000Ω(±10%)Ⅳ.기본이론연산증폭기(OP Amp)는 전압 궤환을 이용
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다이오드와 트랜지스터에서의 전류흐름을 설명하려면,(+)전하 반송자 개념이 첨가되어 수정되어야 한다.(+)전하 반송자를 정공(hole)이라고 하는데, 그것은 질량,이동도,속도를 갖는것으로 생각된다. 반도체에서의 전류 흐름은 (-)전하 (자유전자)와 (+)전하 (정공)에 의해서 이루어진다.비로서 안티몬과
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다이오드 일정한 전압을 발생하기 위해 사용하는 제너 다이오드(zener diode), 빛을 검출하는 포토다이오드photo diode)전류를 흘리면 빛이 나는 발광 다이오드(LED)등 많은 종류가 있다.(2) 트랜지스터트랜지스터는 p형과 n형의 반도체를 pnp 또는 npn이라는 세 개의 층으로 배치하고 있다. 세 개의 층은 각각
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다이오드서론3.1 이상적인 다이오드3.2 접합 다이오드의 단자 특성3.3 다이오드 회로의 해석3.4 소신호 모델과 그 응용3.5 역방향 항복 영역에서의 동작-제너 다이오드3.7 리미팅 회로와 클램핑 회로3.8 다이오드의 물리적 동작-기본적인 반도체 개념3.9 개방-회로 상태하에서의 pn 접합3.10 역바이
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제너 다이오드는 다이오드 반도체의 제너 영역과 애벌런치 효과를 이용한 다이오드로 이 영역에 대해 역방향 바이어스 전압(VZ) 가 발생한다. 밑의 특성 그래프에서 보여지듯 제너 다이오드는 0에서 VZ까지 개방회로(0 Volt)와 등가를 이루고 전압 VZ이상에서는 수직상승의 모습을 나타낸다. 이와 같
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제너 다이오드: 4.7V(±10%), 0.5 또는 1W▶가변 저항기: 500Ω , 5W▶캐패시터: 0.1㎌, 0.22㎌▶직류전원: +15V(50㎃), -15V(50㎃)▶직류전원:안정화된 0에서 15V,50㎃이상,가변가능▶저항:1000Ω(±1%),2000Ω(±1%),4999Ω(±1%)(0.25W)470Ω(±10%),10,000Ω(±10%),100,000Ω(±10%)Ⅳ.기본이론연산증폭기(OP Amp)는 전압 궤환을 이용
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제너 다이오드: 4.7V(±10%), 0.5 또는 1W▶가변 저항기: 500Ω , 5W▶캐패시터: 0.1㎌, 0.22㎌▶직류전원: +15V(50㎃), -15V(50㎃)▶직류전원:안정화된 0에서 15V,50㎃이상,가변가능▶저항:1000Ω(±1%),2000Ω(±1%),4999Ω(±1%)(0.25W)470Ω(±10%),10,000Ω(±10%),100,000Ω(±10%)Ⅳ.기본이론연산증폭기(OP Amp)는 전압 궤환을 이용
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