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전자 회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사기초 전기전자공학실험 / http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lecnolist.asp시뮬레이션 결과 분석시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.회로1에서의 시정수 τ= RC = 100 × 0.33× 10^-6 = 33× 10^-6 주기 T= 1× 10^-3 ∴ τ≪T인 사실을 알 수 있다. 이는 시정
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실험 22. 콜피츠 발진 회로 전자 회로 실험실험 22. 콜피츠 발진 회로1. 실험 목적(1) 트랜지스터의 각 단자간의 파형을 측정한다.(2) 콜피츠 발진기의 동작원리를 습득한다.2. 기초 이론그림 22-1 콜피츠 발진기의 실용회로 그림 22-2 콜피츠 발진기의 원리LC 발진기 중 가장 널리 사용되는 발진기가 콜
8페이지 | 0원 | 2004.05.19
실험 21. 하틀레이 발진 회로 전자 회로 실험 실험 21. 하틀레이 발진 회로 1. 실험 목적(1) LC발진기의 기본 동작원리를 이해한다.(2) 하틀레이 발진기의 발진주파수를 구한다. (3) 하틀레이 발진 회로(Hartley oscillator)에서 베이스와 콜렉터 파형을 비교 관측한다.2. 기초 이론발진기는 교류신호를 발생
7페이지 | 0원 | 2004.05.19
Chapter 4.2 Operation of the NPN TR in active mode : PN junstion forward bias condition※ Collect Currentic = Is e^ vBE / VT where Is= saturation current- independent of vCBas long as C-B junstion reamian reverse-biased- proportional to 1 over W( W = base width)- directly proportional EBJ(Emitter-Base Junction)- proportional to ni^2: concentration of hole or electrons(in
12페이지 | 0원 | 2004.05.19
4.9 Graphical Analysis4.15 Complete Static Characteristics, Internal Capacitances and 2nd-order Effects※ Common-Base Characteristics (iC - vCB특성곡선)Note:① avalanche breakdown of CBJ at large voltage② Saturation-region characterisitcs- vCB→ negative ▶ CBJ → Forward-biased , iC↓∵ for each curve, iE→ constant, decrease in iC→ increase in iB③ a very sm
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5장 Field-Effect Transistors(FETs)- the voltage b.t.w two terminals control the current flow in the third terminal- current-control mechanism based on the eletric-filed established by the voltage applied to the control terminal- Current is conducted by only one type of carrier(n channel or p channel)- a particular kind of FET, MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor FET) → most popular.
9페이지 | 0원 | 2004.05.19
5장 Field-Effect Transistors(FETs) - 2부5.5 The MOSFET as an Amplifier※ Calculation of the DC Bias point- must be biased at a point in the saturation region.- dc drain currentID = 1 over 2 kn W over L ( VGS - Vt)^2VD = VDD - RD ID※ The Signal Current in the Drain Terminal- total instantaneous gate-to-source voltagevGS = VGS + vgsresulting total instantaneou
7페이지 | 0원 | 2004.05.19
1. VHDL(Very High Speed Specific Integrated Circuit Hardware Discription Language) 의 출현 배경 및 변화 과정▶ VHSIC 프로그램의 일부로 VHDL의 개발을 지원.▶ 1981년 메사추세츠의 Woods Hole ) Woods Hole: technology independent하며 표준 하드웨어 기술 언어의 개발을 목표로 하는 학술 대회학술 대회를 시작으로 VHDL이 개발되기
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3-3. 다이오드의 리미터와 글램퍼회로클리퍼 ( CLIPPER ) 어떤 파형의 윗부분 또는 밑부분을 일정한 레벨로 잘라내는 회로로서어떤 레벨 이상을 잘라내는 피크 클리퍼와 어떤 레벨 이하를잘라내는베이스 클리퍼, 상하의 두 레벨을 잘라내는 슬라이서 (slicer) 또는 리미터(limiter) 등이 있다. = 절단 회로
4페이지 | 0원 | 2004.05.19
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