레포트 (69)
[기계공학] 스트레인 게이지 부착실험 및 사용법과 원리 습득
시편 Fig. 4 실험 전선Fig. 5 용접기 Fig. 6 인장 시험기(Load Cell)Fig. 7 스트레인 인디케이터4. 실험 방법(1) 스트레인 측정장치정적 스트레인을 측정하기 위한 측정장치의 배열은 다음과 같다.스트레인 게이지스위치/밸런스박스정적스트레인 인디케이터측정하려는 곳에 게이지를 부착한 후 게이지를
16페이지 | 1,400원 | 2011.03.07
고효율 실리콘 태양전지의 저가화를 위한 Ni,Cu,Ag 전극 특성
비저항이 크고 sintering 후 전기전도도가 1/3으로 저하 된다. 또한 screen mask로 전극을 형성하여 낮은 aspect ratio를 갖기 때문에 전류의 흐름 및 태양광이 조사 되는 면적이 작다. 3.4 Ni/Cu/Ag contactNi은 Cu가 실리콘과의 접촉을 막아주는 diffusion barrier로 사용되는 것뿐만 아니라 silicide(NiSi)로 형성하여 실리콘
7페이지 | 1,400원 | 2011.03.04
시편의 strain을 각각 구할 수 있다. 그러나 Half-bridge를 사용하면 원하는 하중에 대한 strain을 각각 구할 수 있다.3. 실험방법 및 장치3.1 실험방법① Strain gauge를 부착 방법에 따라 측정하고자 하는 외팔보의 상단과 하단 동일위치에 접착제를 이용해 부착한다.② Quarter-bridge를 이용하여 Strain gauge를 Strain
10페이지 | 1,400원 | 2011.03.01
[신소재공학] 재료분석 실험(S전해밀도와 Stirring Speed에 따른 Cu 전해도금의 특성)
시편 준비 전해액 : CuSO4. 0.5M 62.3g / H2SO4 1M(98%) 49.03g- DI-water로 세정한 500㎖ 비커에 DI-water 300㎖ 채움- CuSO4, H2SO4 첨가 후 교반기로 교반 - DI-water 추가하여 용액의 부피를 500㎖로 맞춤.- 황산 첨가시 온도가 상승하므로 실온으로 냉각하여 사용시편 - 전극시편 20%황산에 보관, DI-water 로 씻어낸 후, 전극
11페이지 | 1,400원 | 2011.02.08
[신소재공학] 재료분석 실험(S전해밀도와 Stirring Speed에 따른 Cu 전해도금의 특성)
시편이 작기 때문에, 저항측정 탐침 4개(1㎟)가 시편 밖으로 나오지 않도록 주의- 시편 하나당 4번씩 측정, 평균 저항값 이용Theory – 4 Point Probe method V/I = ROhm × C.F = Ω/□ - 금속의 비저항(ρs, Ω∙cm), 표면 저항(Ω/□ )을 이용한 금속 박막 두께 측정ρs- ρ0= ρ0∙α(T-T0)Thickness(
20페이지 | 2,100원 | 2011.02.08
[전자재료실험] MOS Capacitor SiO2 산화층 두께가 Capacitor 에 미치는 영향
비저항) : 104Ωcm 이하 경화 조건 : 25℃×12시간 또는100℃×30분 사용가능최대온도 : 80℃까지 (120℃이하 전도성/내구성 떨어짐) -평균 저항 2옴 정도-충분히 건조 시켜야 저항이 낮아진다. ELCOAT P-100 특성순서 ⑦.경화가 완료 되면 완성된 시편을 가지고 I-V와 C-V측정을 실시한다.Ⅱ. 시편의 제작
10페이지 | 1,400원 | 2011.01.19
[자연과학] 박막트랜지스터(TFT) 공정 설계 및 특성 평가
시편 Si wafer(SiO2 100nm deposit)Width / Length 500/50umRTP 열처리온도 : 300 400 500,700 시간 : 5분O2, Ar, N₂증착 ZnO 두께 : 100nm RF Power : 100W Ar Gas 분위기에서 45분간 증착공정 변수42.XRD(X-ray Diffractometer)열처리에 의한 결정성 분석Intensity 측정1.SPA(Semiconductor Parameter Analyzer)HP4145B ID-VD 특성 측정 ID-VG 특성 측
30페이지 | 2,000원 | 2011.01.18
시편 양쪽 전극에 납땜하여 부착하던가, 2-pin connector와 같은 접속 부속을 사 용하여 측정회로를 만들고, 시편을 로 내에 넣어, 5℃/min로 가열하면서 온도별 저항, 용량 및 유전손실을 측정하여 기록한다.3) 이 data를 사용하여 온도 vs 비저항의 변화, 온도 vs 비유전율의 변화 및 온도 vs 유전손 실의 변화를
12페이지 | 2,000원 | 2011.01.13
비저항, B정수는10 ^0 ~~~ 10^3 ~ OMEGA -cm, ~~B ``=`` 1000K ~~~ 7000K의 범위의 물건이 얻어지고 비저항(ρ), B정수(B)가 광범위한 재료들에서 얻어질 수 있는 있으나 다음의 이유 등으로 인하여 그 조성의 사용이 제한되고 있다.① 재료의 안정성.② 재료의 소결성과 특성산포(소결온도 및 특성 범위)③ 재료 부
15페이지 | 2,000원 | 2011.01.13
시편은 120℃ 오븐 보관)04 문제해결04 문제해결BallmillngD.I. water: 자연건조가 늦어짐하소 XRDSample holder에 유리가루 오염 발생M 도입: 하소 후 Ballmill 대신 유발에서 Grinding 후 sieve로 3번 걸러냄성형성형시 시편이 깨짐 / CIP 성형의 어려움S 도입: 성형 압력 조절하기(500kg/㎠), 바인더 쓰기, 성형 방법 달
14페이지 | 2,000원 | 2011.01.13
- 2011년 2학기 평생교육론 출석대체시험 핵심체크
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