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1. 차단기 종류와 동작원리(1)저압용1. 기중차단기 ACB : 고압쪽의 메인이 VCB였다면 저압쪽은 보통 ACB가 담당하게 됩니다.소호방식이 공기중에서 소호한다고 하여 기중차단기라고 불리며 보통 계전기를 같이 부착하여(OCR, GR) 변압기 후단의 메인 차단기로 사용됩니다.2. 배선용차단기 MCCB,NFB : 차단부를
18페이지 | 2,500원 | 2013.12.23
[결과] 일반물리학 실험 - 멀티미터, 오실로스코프, 펑션 제너레이터 측정
일반물리학 실험 - 멀티미터, 오실로스코프, 펑션 제너레이터 측정Ⅰ. 오실로스코프의 기능 및 동작원리오실로스코프는 전자 장비를 보수하거나 디자인할 때 필요한 필수적인 계측기로 전기적 신호를 화면상에 나타내 주는 것이다. 물리적인 세계에서는 에너지, 입자의 진동, 그 밖의 보이지 앉는 힘
5페이지 | 1,200원 | 2014.03.26
통신공학 실험 - VCO(Voltage Controlled Oscillator)
VCO(Voltage Controlled Oscillator)1. 실험목적VCO의 구조와 동작원리를 이해한다.2. 실험 관련이론(1) VCO는 전압제어 발진기라 불리며 전압이 선형적으로 변할 때출력 주파수도 선형적으로 변하게 된다. 출력신호의 주파수는 입력신호의 크기에 비례한다. 그러므로 주파수 변조기에 효과적으로사용할 수 있
8페이지 | 1,500원 | 2014.01.14
실험목적 차동증폭기의 동작원리를 이해한다.동상제거비(CMRR)를 조사한다정전류원을 가지 차동증폭기에서의 드리프트 감소효과를 관찰한다.실험재료직류전원 : +12V오실로스코프저주파 신호발생기저항 : 2.7kΩ, 3kΩ×2, 4.7kΩ×2, 6.8kΩ×2, 10kΩ×2, 30kΩ×2Ω,47kΩ가변저항 : 1kΩ 커패시터: 10μF/25V ×2
6페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
제우스 CS엔지니어 최종합격자의 면접질문 모음 + 합격팁 [최신극비자료]
1회사에서 주로 사용하는 장비가 무엇인지(동작원리나 개념) 알고 있는가?2 희망근무지 사이트는어디이며 일본어 실력은 어느정도인지?3CS엔지니어와 관련된 본인만의 경험은/ CS엔지니어가 되기위해 무엇을 준비했나 ?4우리 CS들은 항상 고민이 많다. 고객의 만족을 줄 것인가 VS회사 성장에 도움
32페이지 | 9,900원 | 2023.02.16
커패시터와 커패시터 회로실험조건 : (온도) 26°C, (습도) 90%, (날씨) 맑음1. 실험 목적 1) 커패시터의 동작원리, 기능, 규격 종류, 및 사용방법을 설명할 수 있다. 2) 커패시터에서 전압-전류 관계를 실험으로 보여 줄 수 있다.3) 커패시터에서의 전기 일률(전력) 및 축척하는 에너지를 실험으로 보여 줄
8페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
[A+] 계측실험 - OP-AMP(연산 증폭기)의 작동원리 이해
REPORTA+계측실험OP-AMP작동원리 이해실험 제목: OP-AMP(연산증폭기)의 작동원리 이해1. 실험 목적오피앰프(또는 연산증폭기)의 동작원리를 이해한다.2. 실험 도구1) 직류 전원 공급기2) 오실로스코우프, 함수 발생기, 멀티미터3) 저항 :10kΩ 3개, 5kΩ, 2.5kΩ, 20kΩ, 30kΩ4) 연산증폭기(OP-amp) : HA1777413. 실험
5페이지 | 2,500원 | 2024.02.22
전자전기컴퓨터학부기초전자물리학실험2 EECS445 실험보고서실험 제4장(1) 실험의 목표1) 커패시터의 동작원리, 기능, 규격, 종류 및 사용방법을 설명할 수 있다.2) 커패시터에서 전압 - 전류 관계를 실험으로 보여 줄 수 있다.3) 커패시터에서의 전기 일률(전력) 및 축적하는 에너지를 실험으로 보여 줄
11페이지 | 1,400원 | 2009.06.15
AVR 프로젝트 가습기마이크로프로세서실험개 요 01. 작품개요04. 동작원리05. 프로그램 소스코드 03. 제작과정 및 가습기구조02. 작품 목적 What? AVR 계열 CPU를 사용해서 디지털 가습기를 제작 한다. 습도 센서는 HS1100 이다.일반 가습기는 습도 조절 능력이 없다. 물론 습도 조절이 있는 디지털 가습
19페이지 | 800원 | 2015.06.27
[반도체] 유비쿼터스용 차세대 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM)
동작원리 MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비자성층을 끼운 3층 구조로 강자성층
9페이지 | 1,500원 | 2009.10.15