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[신소재공학] Straight InP nanowires made from AAO template and Bi catalyst(영문)
-Term Paper--Straight InP nanowires made from AAO template and Bi catalyst1. Review the papers and patents closely related to your topicA. Fabrication of highly ordered metallic nanowire arrays by electrodeposition-Highly ordered hexagonal arrays of parallel metallic nanowires(Ni, Bi) with diameters of about 50nm and length up to 50㎛ were synthesized by electrodeposition. Hexagonal-close-pa
8페이지 | 1,100원 | 2011.09.09
[반도체] High Electron Mobility Transistor(HEMT)
InP 기반-HEMT>HEMT란 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transister)를 의미한다. 이 소자는 변조 도핑 전계 효과 트랜지스터(MODRET)또는 이중 접합 전계 효과 트랜지스터(HRET:heterojunction field effect-transister)라고도 부른다. 이들은 게이트 산화막이 소자의 나머지 부분보다
18페이지 | 1,700원 | 2009.07.23
[광통신시스템] LED제조공정과 효율을 높이기위한 방안
InP 기판 101a.n형 전극101b.p형 전극 102.다중 양자우물103.전류 차단층 104p-InP 클래드층105.InGaAs층 106.절연층107.U-채널 108.회절격자109.고반사막본 기술에 따른 DFB LD 구조도LED Package를 응용제품에 따른 일정 프레임에 부착 양자우물 레이저 다이오드종래기술에 따른 DFB LD의 MQW 구조도
14페이지 | 1,400원 | 2010.11.01
[에너지공학] CuIn 비에 따른 CuInS2 박막의 특성에 관한 연구
InP가 개발되어 있다. 그런데, Si은 비직접천이형이며 광흡수계수가 직접천이형에 비해 상대적으로 작아서 광자를 효과적으로 흡수할 수가 없으며 광자의 효과적인 흡수를 위해서는 직접천이형7 반도체에 비하여 보다 넓은 폭의 공간전하영역이 필요하다. 또한 운반자의 라이프 타임을 길게 하여 생성
6페이지 | 800원 | 2009.05.14
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