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레포트 (528)
[전기전자정통] 실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(예비)
예비 보고서실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(가) pnp biasing(1) S1 닫음이 시뮬레이션은, R2의 저항치를 최대로 놓고 스위치 1을 닫은 상태에서 돌려본 것이다. 전류의 흐름을 보면 에미터에서 컬렉터로 흐른다. 가변저항의 사용법을 잘 몰라 저항 하나를 값을 바꿔가면서 하였다. VEE의 전압은 대부분이 가변
4페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(결과)
트랜지스터의 정확한 특성과 각 단자의 전압 전류의 관계 또 β의 의미를 정확히 알수 있었던 것 같다. 전자 회로시간에 배운 바로는 β값은 트랜지스터의 동작에 상당히 중요한 역할을 하며 β에 값에 의존하지 않는 회로가 좋은 회로임을 알수 있었다. PSPICE나 실제 실험에서 쓰이는 β값은 140-150정도인
3페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성(예비)
트랜지스터의 β값과 동일하고 전압이득은 -22V/V정도로 측정되어야 한다.4) 실험(6) Rout = 20.7㏀ (Vout=0.5×Vout) : 부하 연결, 가변저항 조정실험(8) C3 제거 : Vout 감소량 측정실험방법 (8)에서 바이패스 콘덴서 C3를 제거하고 오실로스코프의 출력신호 Vout을 관찰하였더니 증폭기의 출력이 감소하는 것을
3페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성(결과)
결과보고서실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성■ 실험 결과표 6-1dc 전압실험순서VCCVCVEVBVCEVBE(1)9.125V4.831V2.354V2.858V2.546V0.657V- 교류 전압원을 제거하고 캐퍼시터를 단락상태로 생각했을 때 나타나는 DC전압이다. 트랜지스터가 NPN형이므로 콜렉터와 베이스 사이에는 역방향 베이스와 에미터 사
3페이지 | 500원 | 2008.04.03
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