레포트 (74)
Si 경계 부위에 노출된Si 위에 Epi가 선택 성장됨에 의해 형성되는 island 를 Nodule 이라 한다.Ⅲ. device process로 인해 발생Slip Dislocation furnace에 loading시 quartz boat의 contact에 의해서 등등 물리적 damage발생할수 있으며, 이 경우 열처리 과정에서 slip이 전파된다.Saucer Pits gettering 능력이 불충분하여 발생, 공정
16페이지 | 1,400원 | 2011.03.24
공정입니다.이 공정을 통해 오염 및 유기오염 모두가 제거 가능 합니다.참고로 이 공정은 금속, 유기물, 미립자에 관하여 대단히 엄격한 규정을 적용하는 청정실 환경에서 이루어집니다.15공정은 Polished Wafer Inspection, Particle Counting, Laser Inspection을 통해서 이루어 지는 공정으로웨이퍼의 미립자 및 금
17페이지 | 1,700원 | 2010.09.08
[반도체 공정] Silicon wafer 실리콘 웨이퍼에 관해(A+레포트)
LG 실트론의 자료를 토대로, 알기쉬운 반도체공정, 반도체소자공정기술의 책을 참고하여레포트를 작성했음!! 실리콘 웨이퍼의 개요오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을
7페이지 | 1,000원 | 2008.10.07
공정을 사용하고 그 위에 패턴이 설계된 금속마스크를 이용하여 백금 히터선을 박막 증착법으로 형성한 뒤 백금족 촉매 및 알루미나 분말 혼합물로 구성된 검지물질을 도포법을 이용하여 윗면과 아랫면 한 번에 모두 코팅하여 저렴한 비용으로 대량 생산하면서도 센서로서의 기능이 우수한 가스센서
35페이지 | 2,800원 | 2010.09.08
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