금속원자간 결합과 구조이론

구조, 전하농도, 박막층 두께 등을 조사하는 기술을 습득(2) 실험 이론일반적인 적외선 분광법은 적외선의 투과 흡수도를 측정하는 방식을 사용하나, 적외선이 투과될 수 없는 고체 재료들(박막 재료 포함)의 분석시에는 적외선의 반사 흡수도를 측정하는 방식을 사용하기도 한다. ① ATR(Attenuated Total Reflectance)법 - 물질의 표면을 연구하는데 많이 이용되는 방법. - 보통의 FT-IR 법이 sample에 적외선을 투과시켜 그 흡수된 파장을 관찰함으로써 시료를 분

반도체&반도체 공업의 이해목 차Ⅰ.반도체 관련 이론1. 고체의 에너지 밴드 구조2. 전자 이동도3. 금속의 전기 비저항4. 상용 합금의 전기적 특성Ⅱ.반도체 공업1. 반도체 공업의 특징2. 반도체의 원리와 종류3. 반도체 제조원료4. 반도체 제조기술참고문헌Ⅰ. 반도체 관련 이론1. 고체의 에너지 밴드 구조전도체, 반도체 및 많은 절연체(부도체)에서 오직 전자 전도에 의해서 전류가 흐르며, 전기 전도율의 값은 전도 과정에 직접 참여하는 전자

구조 및 기능.2.1 SEM의 구성 16SEM은 Figure 12 에서 보는 바와 같이 column는 전자빔을 발생 및 가속시키는 전자총(electron gun), 전자빔을 가늘게 모아주는 집속렌즈와 대물렌즈, 필라멘트를 떠난 전자가 시편에 닿을 때까지 전자빔의 경로를 조절하는 주사코일(deflection coil)로 구성되어 있다. 컬럼 아래쪽의 진공 경통 안에는 시편을 이동시키는 시료 stage가 위치하고, 경통에는 이차전자 검출기 등 다양한 검출기를 부착할 수 있다. 장비의 하단부는 진공 chamb

금속 안의 전자운에 의하여 금속핵간에 인력이 발생하며 이에 의하여 구조가 유지된다 이 전자운은 전기적 또는 열적 stress에 의하여 쉽게 이동할 수 있다. 금속핵은 주위의 전자에 의하여 전하가 상쇄되므로 이온결정과는 달리 최조밀격자를 이룰 수 있다 (ccp, hcp). 이 이론에 의하여 금속의 정성적 또는 정량적인 많은 특성을 설명할 수 있으나 설명이 불가능한 것도 있다. 이 이론은 금속의 결정구조가 알려지기 전에 발전되었고, 또한 원자간 힘의 본

결합이 약해지면서 녹는 형태의 용융상태가 되는데 그 녹는 상태로 되기 직전에 용융잠열이 물질로 흡수되면서 상태가 변한다. 이 온도는 특정한 지점으로 나타나지 않고 range로 나타나는데 중간값을 정하며 그것이 그 고분자물질의 유리전이 온도(glass transition temperature)가 된다.이 그래프를 보면 계곡처럼 쑥 들어간 부분 120.94도에 있다. 이 점은 결정성 고분자에서 결정화되는 온도의 넓은 범위(이 그래프에서는 180-130도) 중 peak가 최대일 때의 온도를