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실험: Photo Lithography1. 실험 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time
3페이지 | 800원 | 2015.02.23
Polymer Substrate for Flexible TFT
PR2. Expose to UV light through the Mask3. Immerse the plate in the “Developer”5. Coat metal6. “Lift-off” in acetone E-beam evaporator3. Al2O3 deposition - This is for InsulatorAl2O3 Dual e-beam/thermal evaporator © gov nanofab Pressure : 6.4 X 10-5 torrDeposition : 1.2nm E-be
23페이지 | 2,000원 | 2010.01.15
PR is coated evenly by turning round rapidly.Si WaferSi Wafer coated with PRProcessLithographyBakeHeat the Si wafer coated PR for 3 minutes at 90 degree celsius.MaskExposureAlign the Mask exactly and emit UV.(fixed 10sec)UVProcessLithographyDevelopment∙ Dip the sample in the alkaline solution. →(process parameter : 10sec 60sec 180sec)∙ Due to differences in solubility of the
27페이지 | 2,500원 | 2018.06.01
PR의 일정 부분이 노광 되었을때 노광된 부분의 PR의 Polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하게 된다는 것이다. 보통 반도체 공정에서는 기판(웨이퍼)표면에 PR을 도포한 후에 그 위에 회로 패턴이 새겨져 있는 마스크를 접촉시키고 파장을 쏘이는 것이다. 그렇게 되면 마스크의 패턴에 따라 파장
3페이지 | 700원 | 2006.12.25
세메스 면접 최종합격자의 면접질문 모음 + 합격팁 [최신극비자료]
PR, Photo Resist)을 균일하게 바르는 도포 공정, 회로 패턴이 새겨진 마스크에빛을 통과시켜 감광액 막이 형성된 웨이퍼 위에 회로를 그려넣는 노광 공정, 현상액 도포를 통해 노광 영역과 그렇지 않은 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정으로 나눠집니다.Etch식각 (Etch) 공정은 액체 또는 기체의 부식
34페이지 | 9,900원 | 2023.11.23
PR Strip & metal thickness 측정Wet Station(WS-10C)C-V 특성HP4280A ☞주의사항①Clean Room 출입 시 방진복 착용 순서: 방진장갑 → 비닐장갑 → 마스크 → 방진모자 →방진복 → 방진화 (방진장갑을 먼저 끼는 이유는 손에서 나오는 땀
5페이지 | 1,600원 | 2015.06.11
2023년 SK하이닉스 100가지 면접 질문 + 답변 + 기업정보
PR 도포 – 노광 – 현상’ 이렇게 3단계로 진행됩니다. PR(Photo Resist)라는 물질을 산화막 위에 도포함으로써, 빛을 받으면 성질을 이용하여 회로를 새기게 된다. 이후 남기고자 하는 패턴만을 남긴 마스크를 PR 위에 덧댄 후, 빛을 노광하게 된다. 노광된 빛은 ‘현상’을 통해 필요없는 PR을 제거하여 필요
41페이지 | 10,000원 | 2023.11.17
PR strip과 RIE를 시행하며 리소그라피 공정을 진행하는 실험을 진행하였습니다. 해당 연구를 통해 리소그라피 공정에 대한 깊은 이해를 했을 뿐만 아니라 장비에 잔고장이 발생할 때마다 직접 나사를 풀고 장비를 탈/부착하며 수리를 해보는 경험을 할 수 있었습니다. 이러한 역량들은 제가 CS 엔지니어로
6페이지 | 15,000원 | 2023.07.26
나노크기 구조물 제작 나노크기 구조물 개요 나노크기 구조물 제작 방식 나노크기 구조물 필요성 나노크기 구조물 조사 나노크기 구조물 연구 나노크기 구조물 분석 나노크기 구조물 개요
PR이 코팅된 웨이퍼 표면에 1/5로 축소되어서 전달. 이러한 과정에서 패턴의 최소 크기를 결정하는 것Resolution = k1 X λ/ NA (k1 : 공정 상수 / λ : 사용된 빛의 파장 / NA: numerical aperture(렌즈의 능력) )수십 nm 크기의 나노소자를 제조하기 위해서는① 사용하는 광원의 파장을 줄이고② 렌즈의 능력인 NA를
26페이지 | 1,000원 | 2015.03.29
PR에 조사함으로써 pattern을 형성 ★ 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정Photolithography2 이론①Cleaning 공정불순물을 제거하는 세척과정②Spin Coating 공정Spin 방식에 의하여 PR을 wafer위에 균일하게 코팅하는 과정③Soft Baking 공정PR
29페이지 | 1,900원 | 2014.12.03