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nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.IntroductionExperimentalAnodeCathodeGlow dischargeGlass slidesTargetMatching NetworkRF GeneratorAl, Ga, In 3 wt% + ZnOGlass SubstrateSputter power : 175WThickness of all films : 600nm
19페이지 | 1,700원 | 2010.11.09
GaN MOCVD(Metal Organic CVD for Gallium Nitride Related Materials, 유기금속 화학증착기)의 국산화에 성공함에 따라 전량 수입에 의존하던 장비들의 국산화를 통해 수입대체 효과 및 국내의 LED 산업경쟁력을 제고하고, 나아가 형광등과 같은 제품을 대체할 것으로 기대되고 있다. ② 정부지원정부의 지원은 첨단성이
47페이지 | 3,000원 | 2018.05.29
반도체 공정 및 재료Oxidation LayeringContent1. Nature of Oxide Film2. Uses of Oxide Film / Oxidant Layering application 3. Chemical reaction & Growth Model4. Dry, Wet Oxidation Growth & Rate of Growth5. Oxide-Silicon Interface6. Oxidation Processing & Furnace Equipment7. Recently work+ References실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼
20페이지 | 1,800원 | 2010.04.26
[반도체] High Electron Mobility Transistor(HEMT)
GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies Characterization of AlGaN/GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies Hong-yeol Kim, Jaehui Ahn, Jihyun Kim, Sang Pil Yun and Jae Sang LeeⅢ-nitrides는 큰 bandgap(3.39eV at room temperature)과 high breakdown field (~5☓10 ^ 6 V/Cm)를 가지고 있어서 space aircraft, power electronics 등 여러 분야에 쓰이고 있다.
18페이지 | 1,700원 | 2009.07.23