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[반도체공정실험] MOS capacitor 직접 제작, 공정
공정을 이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다. 2. 실험이론① MOS Capacitor(a) MOS Capacitor의 구조 MOS capacitor의 구조MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체
17페이지 | 1,900원 | 2013.03.20
[반도체공정실험] Characteristic of MOS Capacitor from C-V graph
Characteristic of MOS Capacitor from C-V graph 1. PurposeWe analysed characteristics of MOS capacitor from C-V graph by varying material and thickness of oxide layer.2. Theory2.1 MOS capacitor2.1.1 Principal and structureFigure 1MOS capacitor MOS capacitor is a device where dielectric material is added between metal and semiconductor. Generally, Al, Cu, Ti, Co, Cr are used for metal laye
15페이지 | 1,400원 | 2011.07.29
[반도체공정실험] C-V Characteristic By Different Oxidation Substance At MOS Capacitor
C-V Characteristic By Different Oxidation Substance At MOS Capacitor1. PurposeAnalyzing characteristic of MOS capacitor from C-V graph, using SiO2 and Al2O3 as oxidation layer.2. ProcedureRCA cleaning ⇒ oxidation ⇒ deposition ⇒ measure①RCA cleaning②Oxidation by e-beam : Deposited each substance 90nm.③Deposit metal by e-beam : Deposit Cu 90nm to oxidation layer with mask whose
9페이지 | 1,400원 | 2011.07.29
반도체 공정실험-SiO2 절연막 두께에 따른 C-V, I-V의 특성
공정과정이 빨라 효율적인 장점이 있다.4. 실험방법 (Method)1) Wafer clining: 습식 세정 공정(RCA 공정)현재 반도체 제조공정에서 실리콘 기판 위에 생성되는 주 오염물질은 파티클, 유기, 금속오염물, 자연산화막 등으로 제품의 수율, 품질과 신뢰성에 큰 영향을 미치고 있으며 이러한 오염물질을 제거하는
16페이지 | 1,700원 | 2014.12.23
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- 최근 5년 내에 직면했던 삶의 어려움이 무엇이었으며 그것을 어떻게 극복하였는지 기술하시오
- 현재까지의 실습에서 발견한 자신의 강점과 약점