레포트 (120)
레지스트리1.레지스트리의 의미VOWNET (Voice Of Web)레지스트리가 탄생하게 된 배경에는 한글 윈도우 3.1에서 사용되는 초기화 파일인 ini파일이 있었습니다. 한글 윈도우 3.1의 경우는 프로그램에서 특정한 정보를 기록할 경우 윈도우즈 디렉토리 아래에 초기화 파일인 ini파일을 사용해 정보를 기록하곤
16페이지 | 0원 | 2004.05.19
레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공
63페이지 | 2,800원 | 2006.09.25
레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치)에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판막을 에칭하고, 불필요해진 포토레지스트를 제거하기까지에 이르는 일련의 프로세스 흐름을 말한다. 기판막을 에칭할 목적이 아닌, 이온 주입의 마스크로서 포
13페이지 | 3,000원 | 2004.08.12
1. Photo Lithography리소그래피 기술의 개요2-리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치) 스테퍼(stepper) - p8 참조에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판
11페이지 | 1,400원 | 2009.04.24
반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정과 잉크젯 프린팅 공정의 차이와 잉크젯 프린팅 공정을 적용하였을 경우 얻어지는 장점
※반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정과 잉크젯 프린팅 공정의 차이와 잉크젯 프린팅 공정을 적용하였을 경우 얻어지는 장점A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정1.Photolithography 리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련
14페이지 | 1,200원 | 2010.07.30
레지스트 이윤경 기자 hadios19@pbj.co.kr프라임경제 한양대학교 이해원 교수 연구팀은 원자힘 현미경(Atomic Force Microscope)리소그래피 기술의 고속화 실현을 위한 세계 최고속 AFM 리소그래피 시스템과 고속 나노패턴 제작 전용 고감도 레지스트를 개발했다고 28일 밝혔다.과기부에 따르면 이번에 고속 AFM
7페이지 | 800원 | 2016.04.16
[나노] Nano Imprint Lithography(NIL)기술의 최근 동향
레지스트(resist)에 복제하는 공정인 임프린트 공정이 있고, 둘째로 임프린트 공정 후 남은 잔여층(residual layer)을 제거하는 패턴 트랜스퍼(Pattern transfer) 공정으로 나누어진다. 또한 NIL 기술은 그 방법에 따라 Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교,
20페이지 | 2,000원 | 2009.08.18
레지스트를 개발했다고 밝혔다. ○ 기존의 광 리소그래피 기술이 가지는 해상도의 한계를 극복하고 저렴한 장비를 제공하고자 최근 다양한 차세대 리소그래피 기술(Next Generation Lithography)들이 연구되고 있다. ○ 그 중 AFM 리소그래피 기술은 나노구조물을 쉽게 형성시키고 제어할 수 있으며 시스템의
12페이지 | 1,000원 | 2016.04.16
Nano Imprint Lithography(NIL) 나노 임프린트 리소그래피
레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다. 2. 본론⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리 나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해
19페이지 | 1,800원 | 2009.08.29
레지스트라고 하는 재료에 먼저 미세 패턴을 만들고, 그것을 다양한 방법으로 전사하여 나노 구조를 만들어내는 것이다. 레지스트에 나노 영역의 패턴을 형성하기 위해서는 X선리소그래피(X-ray lithography)전자빔리소그래피(electron beam lithography)가 이용된다전자빔리소그래피 electron beam lithography전자회
4페이지 | 800원 | 2016.04.16