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[디스플레이재료] SrZrSiO,EU White LED 형광체 조성
Si규소1428.0855고체0.11nm+4FCCEu유로퓸63151.964고체0.185nm+3BCC3. 이론① 고상법 = 형광체는 고상법에 의해 분말 형태로 합성하게 된다. 고체 내 또는 고체간에서 일어나는 화학반응이다. 반응계의 분자 혹은 원자가 고체 내를 확산함으로써 반응이 진행하므로, 이 확산과정의 반응속도를 지배하는
5페이지 | 1,000원 | 2012.03.19
[다이오드] 다이오드의 전압, 전류 특성과 다이오드의 극성 판별법 및 포토다이오드, 발광다이오드(LED), 제너다이오드, 터널다이오드(에사키다이오드)에 관한 심층 분석
규소(Si, 실리콘)를 가장 많이 이용한다. 순수한 규소는 원자의 최외각에 4개의 전자를 가지며 주위 원자와 단단히 결합되어 있다. 이를 진성반도체라 한다. 반도체의 원재료인 규소(Si, 실리콘)는 모래에서 추출한다. 모래는 거의 순수한 이산화규소의 결정이다. 순수한 물질인 진성반도체는 전자들이 서
7페이지 | 5,000원 | 2009.03.17
규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작Si (규소,실리콘)Six-Nine %99.9999%단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작잉곳(Ingot)고순도 실리콘 용융액SEED 결정단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작텅스텐 Wire단결정성장 → 규
48페이지 | 1,900원 | 2015.03.29
규소(Si)나 게르마늄(Ge)에 불순물을 첨가하면 저항이 감소되도록 조절할 수 있다. 이 과정을 도핑(doping)이라 하는데 전자나 정공의 수를 증가시킴으로써 전도성(傳導性)을 높여 저항을 감소시키게 된다. 이때 정공수를 증가시킨 것이 p형반도체이다. 순수한 반도체에서 정공수를 증가시키기 위해서는 불
9페이지 | 1,800원 | 2006.07.07
반도체 소재의 종류 및 특성목차1. 반도체 소재1) 반도체 소재란2) P형 반도체3) N형 반도체2. 반도체 소재의 종류1) 다이오드 (Diode) 2) 트랜지스터(Transister) 3) 사이리스터(thyristor)반도체 소재란반도체소재 정의반도체를 소재로 하여 만든 회로반도체소재의 재료게르마늄(Ge), 규소(Si), GaAs 와 아산
5페이지 | 1,200원 | 2013.12.23
규소(Si), 알루미늄(Al), 철(Fe), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 티탄(Ti) 등의 9종의 원소로 구성되며 그 외 수십 종의 원소가 나머지 1%를 차지한다.따라서 나머지 동이나 니켈 같은 중요한 자원을 구성하는 원소들의 양은 모두 합쳐 0.01%에도 미치지 못하는데, 동은 55 ppm, 니켈은 75 ppm으로 만약
19페이지 | 2,000원 | 2010.01.14
규소(Si) 등이 생성되다가 마침내 철이 만들어졌다. 이렇게 생겨난 철은 우주를 구성하는 보편적인 물질로서, 대단히 안정되고 단단하게 결합된 원자구조로 되어있다.2. 철의 제조인간이 처음 철을 접하게 된 것은 우주 공간 속에 만들어진 유성을 통해서였다. 밤하늘을 아름답게 수놓은 유성은 주로
11페이지 | 5,000원 | 2009.04.17
[전자재료실험] MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층 제작 공정 분석
규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.(2) P-type MOSP-type MOS란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공(양의 전하를 가진 전자와 같
16페이지 | 1,700원 | 2013.04.11
규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs)의 단결정 물질들에 불순물을 첨가하면 기술적으로 더욱 중요한 불순물 반도체로 된다. 이과정을 도핑(doping)이라 함. 이것은 물질의 전기적 성질을 변화시켜서 전기 전도도를 갑자기 크게 한다.불순물 반도체 : 첨가된 불순물이 고유반도체보다 전자를 하나 더 갖
25페이지 | 2,100원 | 2011.03.04
규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.(2) MOS Capacitor의 동작 원리MOS의 capacitance는 Gate에 가해지는 전압(V G)에 의존하
18페이지 | 1,900원 | 2014.12.23