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레포트 (525)
[전기전자정통] 실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(예비)
특성 측정 회로의 시뮬레이션이다. 앞에서와 마찬가지로 가변저항은 저항하나로 대체했다. 콜렉터 이미터 전압에 따른 콜렉터 전류를 확인하는 시뮬레이션이다. 그러나 역시 실험(나)와 마찬가지로 시뮬레이션에 실패했다. 이론적으로 전압과 전류가 비례하는 것을 알기에 비례하는 그래프가 나와야
4페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성(예비)
예비 보고서실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성1) 실험(1) VCC, VC, VE, VB : 각 단자별 dc 전위 측정실험(1) VCE, VBE : : 각 단자간 dc 전위차 측정CE증폭기의 DC전압에 대한 동작을 보고 있다. 교류 전압원을 제거하고 캐퍼시터를 단락상태로 생각했을 때 나타나는 DC전압이다. 트랜지스터가 NPN형이므로 콜렉터와
3페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(결과)
모두 다 틀리므로 그에 따른 오차가 생긴 것 같다. 그리고 정확한 저항값을 사용하지 않았고 브레드 보드 내부의 저항 또 PNP나 NPN 트랜지스터의 β값의 정확한 측정을 하지 못한점을 들수 있다. 이번 실험에서 보면 이득(증폭)에 있어서 α와 β에 대해 조사해 보았는데 중요한 것은 β인 것 같다.
3페이지 | 500원 | 2008.04.03
[전기전자정통] 실험 6. 트랜지스터의 소신호 특성(결과)
실험시 어려웠던 점이나 건의할 내용은 무엇인가?■ 비 고이번 실험은 소신호특성에 대한 실험이었다. 여기서 말하는 소신호란 다이오드의 소신호 특성에서와 마찬가지로 동작 영역 안에서 변하는 신호를 말한다. 트랜지스터의 동작모드는 4가지가 있는데 그 중에서 활성모드는 증폭 작용을 하게 된
3페이지 | 500원 | 2008.04.03