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Nanosphere Process & Technology LaboratoryDepartment of Chemical Engineering, Yonsei University, 134,Sinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea웨이퍼 세정 기술반도체 공정 및 재료contents3. 세정 공정의 개요2. 오염과 세정의 목적4. 건식 세정5. 결론1. 반도체 제조 공정과 웨이퍼습식 세정 기술, 습식 세정의 한계초임계 이산
6페이지 | 1,400원 | 2010.04.26
세정에 액체를 사용하지 않으므로 어떠한 표면장력을 유발하지 않는다.CO2와 Ar 에어로졸 세정 기술이 존재하고 있으며 이러한 에어로졸은 반도체 패턴의 파괴를 유발한다. 그러나 소니사는 초기의 에어로졸보다 가벼운 N2에어로졸을 사용해 패턴의 파괴 없이 웨이퍼 세정이 가능함을 발견하게 되었다
17페이지 | 1,400원 | 2010.04.26
[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정
제목: 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정 문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지).반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성지표면 오존의 심각성(오존주의보)목표웨이퍼 세정에서 파
24페이지 | 2,100원 | 2008.06.27
웨이퍼가 휘거나 깨지기 쉬우므로 취급시 더욱 주의해야 하는 등 고도의 기술력이 뒷받침되어야만 합니다. 그러나 Device의 생산성 증대에 따른 생산 비용 저하라는 측면에서 Design Rule 50nm 이하 시대에는 주력 웨이퍼로 자리잡을 것으로 예측되며, 이에 따라 국내 반도체 3사를 포함해 일본 업체들과 인
6페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
(주)세정종합기술 기업분석 요약보고서입니다.
6p 내외페이지 | 5,000원 | 2018.06.08
(주)세정종합기술 기업분석 상세보고서입니다.
16p 내외페이지 | 10,000원 | 2018.06.08
(주)반도체기술 기업분석 요약보고서입니다.
6p 내외페이지 | 5,000원 | 2018.02.18
(주)반도체기술 기업분석 상세보고서입니다.
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