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레포트 (506)
접합(tunnel junction) 구조를 이용하여 P-N 접합 태양전지를 금속 전극 없이 반도체 박막만으로 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지는 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 2006년 Spectralab에서 Fig. 1-4와 같은 GaInP/GaInAs/Ge 3중 접합 태양전지 구조를 이용하여 AM 1.5에서 x240
23페이지 | 2,100원 | 2009.07.23
Presentation 11. Ⅲ-Ⅴ족 반도체 다중접합 원리목차2. 활용분야1. Ⅲ-Ⅴ족 반도체 태양전지 기술Ⅲ-Ⅴ족 반도체 태양전지 기술(1/4)Band Gap 크기 순으로 적층된 각각의 셀다중접합 원리R. R. King, et al., 40% Efficient Metamorphic GaInP/GaInAs/Ge Multijunction Solar Cells, Appl. Phys. Lett. 90, 183516, 2007Projektinfo, Concentrated photo
12페이지 | 2,000원 | 2017.09.21
접합 부근 혹은 활성층에서 전자와 정공(hole)의 결합에 의해 빛을 방출하는데, 반도체의 고유 특성인 에너지 밴드 갭(gap)의 크기에 따라 다양한 색(파장)을 구현할 수 있다.LED에서 일어나는 전자와 정공의 결합과 이에 따른 빛의 발생직접 천이와 간접 천이앞의 그림에서와 같이 LED의 재료는 에너지 밴
12페이지 | 1,800원 | 2012.08.17
다중양자우물 (MQW) 로 이루어져 있다. P형, N형 GaN 반도체를 접합한 다이오드에 순방향 전압을 인가하게 되면 전자(electron) 와 정공(hole)이 발광층에서 재결합하면서 빛을 방출하게 된다. 방출되는 빛의 파장은 MQW의 에너지 밴드갭 (energy bandgap) 에 따라 변화하며, 이 밴드갭은 반도체의 조성, 구조에 의해
20페이지 | 1,800원 | 2016.02.25
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