1. 회로 내의 전류, 전압, 저항 사이의 관계를 실험적으로 확인한다.
2. 옴의 법칙을 입증한다.
3. 측정오차의 원인을 규명한다.
이론적 배경
지금까지의 전류, 전압, 저항을 실험하면서 전압이 일정하게 유지되면 저항이 커질수록 전류가 작아지며, 저항이 일정하면 전압이 증가할수록 전류가 증가함을 알았다. 즉, 이것을 통해서 옴의 법칙을 설명할 수 있는 것이다. 만약 회로의 응답의 변화뿐만 아니라 변화의 정도를 예측하기 위해서는 이들 사이의 관계를 정확하게 알 필요가 있다. 정확한 측정을 위해서는 실제 실험에서 계기와 회로의 저항이 고려된다. 그렇다면 저항 R과 전류 I 그리고 전압 V를 살펴보자.
전류원과 부하를 보이고 있다.(4)노튼 전류 IN을 구하기 위해서는 부하를 단락 시키고 본래의 회로에서 단락 된 곳에 흐르는 전류를 계산한다. 이 단락 회로 전류가 IN이다. IN을 계한하기 위해서는 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 사용이 필요할 수도 있다.(5)노튼 저항 RN은 앞의 실험에서 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구한다. : 본래의 회로망에서 부하를 개방한다. 모든 전압원은 단락 시키고 내부 저항으로
일반물리학 실험 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)1. 실험 제목 : 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)2. 실험 목적 : 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한다. 3. 관련 이론 : A. 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특
1. 목적1) 임의의 회로에서 옴, 테브난, 노오튼의 등가회로를 이용한 계산값과 측정값을 비교한다.2) 옴의 법칙(Ohms law)을 이해하고 실험적으로 증명한다.3) 테브난의 정리(Thevnins Theorem)을 이해하고 실험적으로 증명한다.4) 노오튼의 정리(Nortons Theorem)을 이해하고 실험적으로 증명한다.2. 이론1) 옴의 법칙(Ohms law)전기학에서 어떤 물질에 흐르는 정상 전류의 양은 그 물질의 양 사이의 전위차, 즉 전압에 직접 비례한다는 것을 밝힌 실험적 법칙.따라
사이에 걸린 전압V(단위는 볼트V)가 3배 증가하면, 그 전선에 흐르는 전류I(단위는 암페어A)도 역시 3배로 증가한다. 그리고 전압과 전류의 비인 V/I는 일정하다 이 비 V/I를 일컬어 저항 R라 하고 그 단위는 옴(Ω)이다. 옴의 법칙은 직류회로뿐만 아니라 전류와 전압의 관계가 훨씬 복잡한 교류회로에도 적용할 수 있다.실험 기구- 회로실험보드 - 배터리- 연결선 - 멀티미터- 저항시료 - 그래프용지실험 방법(1) 저항측정 : 저항 하나를 선택하여 색 코
저항기들의 그것과 동일하기 때문이다. 또한 옴의 법칙으로 Rt를 결정하기 위해서는 편의상, Rt = R₁+R₂라고 가정한다.저항값을 측정하기에 앞서서 저항값은 회로 내에 있든 그렇지 않든 일정하므로 여러 가지 방법으로도 구할 수 있다. 직렬 연결된 저항의 전체 저항값은 직렬 연결된 양단자에 저항계를 연결하여 측정할 수 있다. 개별 저항기의 저항값을 알고 있으면, 측정된 저항값으로 부터 관계식을 직접 유도할 수 있다. 실험적인 관점에서는 두
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