소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
...생략
결과 및 고찰:
이번 실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을 실험적으로 관찰할 수 있었다. 이 실험의 주목적은 온도 변화에 따른 다이오드의 특성변화였지만 온도뿐만 아니라 빛에 대한 영향도 볼 수 있었다. 실험을 할 때 빛을 차단하는 것과 차단하지 않을 때 전류 특성이 달라지는 것을 볼 수 있었다.
실험 때마다 일정치 않아 수치마다 많은 차이가 보임을 알 수 있었다.목 차《수동발전장치》1.부품기호 및 명칭☐다이오드(Diode) 1)다이오드의 종류 2)발광 다이오드(LED) ☐캐패시터(Capacitor)1)캐패시터의 종류 1.알루미늄 전해캐패시터2.탄탈륨 캐패시터3.세라믹 캐패시터☐트랜지스터(Transistor)1.트랜지스터의 개요2 트랜지스터의 구조와 동작 ☐(R - Resistance - 저항)1. 개요2. 정격전력3. 재질에 따른 각 저항의 특성2. 회로도3. 결과4. 고찰
특성을 살리기 위해서는 이러한 연구가 필수적이다.전류-전압 특성TFT의 성능을 알아보기 위해서는 전류-전압 특성을 알아야 한다. 전류-전압 특성은 전압의 변화에 따른 전류의 양을 나타낸 것으로 TFT의 가장 기본적인 측정 항목에 속하지만, 이것만으로도 많은 것을 알아낼 수 있기 때문에 중요하다. 유기박막트랜지스터의 구조인 전계효과트랜지스터(FET)는 게이트(gate), 소스(source), 드레인(drain)이라는 3개의 전극이 있다. 그래서 전류-전압 특성을 알
특성과 반대이다. 이것은 높은 주위 온도와 동작 전류에서는 반도체의 접합온도(Junction Temperature)가 증가하게 되어 전자와 정공의 재결합이 활성화되어 빛에너지가 적어지기 때문이다. 그림19는 접합온도에 따른 각각의 LED광출력 특성을 보여주고 있다. 광출력의 온도 의존성은 AlGaInP LED(즉 청색파 녹색, 백색)보다 InGaN LED(적색과 황색)가 비교적 적게 나타난다.따라서 요즈음 일부 LED 시스템은 주위 온도 변화에도 일정한 광출력을 나타낼 수 있도록 LED
따른 potential 증가로 junction leakeage current가 증가하여 off current가 증가한다.그림 17 Oxide 두께에 따른 I-V 특성 변화이상적 MOS의 결과와 다를 이유Hysteresis in C-V curve그림 18. C-V curve의 Shift로 인한 Hysteresis 경향C-V curve에서 flat-band voltage의 shift가 일어나는 것은 여러 원인이 있겠지만 mobile charge에 의해서나 산화물로 전하가 주입, 포획되어서 일어날 수 있다. p-type MOS capacitor의 경우 고려해보자.산화물에 전하가 포획되지 않고 mobile charge도 움직이지 않는다
따른 가격하락이 이어질 수밖에 없는 구조이다. 그래도 업계는 끄떡도 하지 않는다. 디스 플레이 경쟁이 디스플레이만으로 끝나지 않고 TV세트 경쟁으로 연결되기 때문이다. 최후의 승자가 되면 지금까지의 고생을 일거에 보상받을 수 있다. 일본 샤프와 파나소닉이 이를 증명하고 있다. 1990년 세계 최초로 LCD를 양산하기 시작한 샤프는 오늘날 LCD TV의 절대 강자로 군림하고 있다. 한때 50%를 넘다들던 시장 점유율이 지금은 20%수준으로 떨어졌지만 그래
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