실험보고서 - strain gage[스테인게이지] 실험

게이지를 부착시킴으로써 달성될 수 있다. 그 다음에는 WBC 회로 설계도를 보고 표준 Breadboard에 저항과 전선을 연결한다. 그 다음에는 Breadboard를 A/D Converter에 연결한다.다음 단계는 측정의 용이성을 위해 중량의 작용 위치를 정하고 스트레인게이지와 중량의 작용 위치간의 거리를 구한다.외팔보에 버킷을 설치하고 알려진 중량의 측정 매체를 버킷안에 넣으면서 실험을 진행한다.그림 및 사진회로 설계도 strain gageWBC 회로도를 보고 Breadboard에 저

게이지를 부착시킴으로써 달성될 수 있다. 그 다음에는 WBC 회로 설계도를 보고 표준 Breadboard에 저항과 전선을 연결한다. 그 다음에는 Breadboard를 A/D Converter에 연결한다.다음 단계는 측정의 용이성을 위해 중량의 작용 위치를 정하고 스트레인게이지와 중량의 작용 위치간의 거리를 구한다.외팔보에 버킷을 설치하고 알려진 중량의 측정 매체를 버킷안에 넣으면서 실험을 진행한다.그림 및 사진회로 설계도 strain gageWBC 회로도를 보고 Breadboard에 저

게이지 팩터 F는 다음과 같이 정의된다.F= dR/R over epsilon a .(식4)따라서 F=1+2mu+ 1 over epsilon a d rho over rho 또한 (식4)로부터epsilon a = 1 over F DELTA R over R 실제응용에 있어서 게이지 팩터 F와 저항 R은 게이지 제작자에 의해 주어지며 사용자는 ΔR만을 측정함으로써 변형도를 구할 수 있다.Ⅲ.실험순서-Strain gage를 부착법 참조하여 Al. beam에 부착Strain gage를 Al. beam 임의의 위치 2개소에 top면의 인장 부분과 bottom면의 압축 부분에 각각 strain gage

실험기구 (스트레인 게이지)(1) 개 요스트레인 게이지는 금속이 스트레인에 따라 전기 저항이 늘어나는 성질을 이용하여 스트레인과 전기 저항의 비를 측정하는 장치이다. Piezoresistive, 반도체 게이지, 탄소저항 게이지, 접착 금속선, Foil resistance gage 등이 있으며 이러한 resistance strain gage가 일반적으로 가장 많이 사용된다.(2) 구성방식스트레인 게이지의 구성은 다음과 같다. ① base material(backing material): 절연 피막체이며, 전기 저항선과 물체 사이에 절

게이지들에 걸리는 전압이 달라져서 전압에 변화가 생기고 그 변화를 하중으로 변환해주는 장치인데 이 때 스트레인 게이지들의 연결 (보통 4개)이 휘스톤 브리지의 원리를 이용한 것입니다. < 출처 : 네이버 용어 사전 >등이 있습니다. 이 이론이 어디에 쓰이는지 잘 몰랐는데 이번에 실험과 보고서 작성을 통해 조사를 해보니 휘스톤 브리지가 많은 곳에 응용되고 있다는 것을 알았습니다. 하나의 이론을 토대로 이렇게 많은 응용이 가능하다는 것에