MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정

1. Introduction1-1 실험 목적1-2 배경 이론2. Experiment2-1 실험 방법3. Result and Discussion3-1 Result3-2 Discussion4. Conclusion5. Reference목 차1. Introduction1-1 실험 목적이번 실험의 목적은 MOS Capacitor를 직접 제작해보며 그 공정을 이해하는 것이다. 또한 유전층의 종류(SiO2, Al2O3)에 따라 MOS Capacitor 의 전기적 특성이 어떻게 달라지는지 살펴보고 변화하는 Capacitance 의 차이를 분석한다. 이를 바탕으로 각 유전층의 유전상수(dielectric constant)를 실험적인 데이터를 통해 계

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

MOS Capacitor3.1.1. 이상적인 MOS Capacitor3.1.1.1. Substrate가 p-type Semiconductor 일 때3.1.1.2. Substrate가 n-type Semiconductor 일 때3.1.1.3 이상적인 MOS Capacitor 구조의 특성3.1.2 표면의 영향이 있는 MOS capacitor3.1.2.1 게이트와 기판의 일함수 차이3.1.2.2 계면전하3.1.3. 문턱전압3.2.4. 정전용량과 고주파수, 저주파수와의 관계3.1.5. 정전용량과 패턴전극의 크기3.2. 절연파괴 (dielectric breakdown)4. 실험 방법5. 결과예측5.1. C-V관계에서 전극 패턴크기에 따른 C 값의 변화 5.2. I-V

1. 실험목적2. 이론 배경 지식3. 실험순서4. 예상결과5. 결과 및 분석6. 결론7. 참고문헌실험목적MOS 소자를 만드는 과정을 이해한다. Metal 종류, oxide 종류, 증착방법에 따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.이론 배경 지식MOS의 이해MOS Capacitor의 구조그림 1. MOS capacitor의 구조MOS capacitor는 metal, oxide, semiconductor로 구성된 capacitor이다. 이것은 일반적인 capacitor의 한쪽 도체 판을 반도체인 p-type 또는 n-type