스트레인 게이지에 대해서

스트레인 게이지는 반드시 (7)과 같이 되지 않고, 다음과 같이 된다.ΔR/R ~=~ Ke ε․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․ (8)여기서Ke이 2이면 (7)식과 같이 되나, 금속의 재질에 따라 2와는 다른 값으로 되는 것도 있다.Ⅲ. 투입계수1. 투입계수와 부가가치율의 사전 예측 방법본 연구에서는 모든 투입계수에 대해 세 가지 모형에 기초하여 회귀분석을 한 다음 그 중에서 최적인 결과에 기초하여 예측력이 높다고 판단되는 요소들에 대해서는 최

스트레인을 측정하는 실험기기를 다루는 요령습득 및 스트레인게이지의 작동원리를 이해하려고 한다.2. 실험 이론2.1 응력(stress)의 정의어느 물체에 외력이 작용하면 그 물체의 내부는 서로 힘이 작용하여 이 외력과 힘의 평형을 취한다. 물체의 내부에 서로 힘이 작용하고 있는 상태를 응력을 받고 있는 상태라고 한다. 외력에 대해서 이것은 내력이라고 한다. 이 응력의 크기는 다음과 같이 정의 한다 물테 속에서 1개의 면을 생각하고 이 면을 경계로

대해서 수직인 평면 내에서 진동하면서 전진하는 횡파이며, 보통 자연광은 이 평면 내에서 각 방향으로 진동하는 각종의 파장의 전자파의 집합체이다. 이러한 보통광을 특수한 투명물질에 통과시키면, 각 방향진동파 중에서 일정방향의 진동만을 통과시키고 기타 방향의 진동은 차단할 수가 있다. 이렇게 진동방향이 일정평면 내에 한정된 광을 평면편광(Polarixed-Plane)이라 하고 광탄성 실험에는 편광이 이용된다. 보통광을 평면편광으로 만드는 장치를

스트레인 게이지는 실리콘의 단결정으로 만들어져 있다.Gauge Factor(Strain Sensitivity) K일반적인 스트레인 게이지의 Gauge Factor K는 다음의 (1)과 같이 정의된다.(1)그러나 실제적으로 측정 대상에 스트레인 게이지가 접착된 경우, 스트레인 게이지는 길이 방향이 아닌 다른 방향에서의 스트레인 입력에 대해서도 저항값의 변화를 보이게 된다. 이때의 저항 변화는 다음의 식 (2)과 같이 나타난다.(2)where, ea : Normal Strain along axial direction of Strain Gaugeet : Normal

스트레인 게이지를 가로 및 세로로 교차시켜 측정하는 다축 저항선 게이지와 반도체형에 많이 사용되며, 두께가 얇은 박형 게이지도 있다. 반도체 스트레인 게이지는 반도체 단결정으로 부터 일반적인 다이야몬드절단 또는 초음파 절단을 통해,축 길이 1.2∼12 mm, 폭 0.1∼0.125 mm, 두께 0.01∼0.0125 mm의 광축에 대해서 절출시킨 것인다. 즉,게루마늄 및 실리콘 반도체에 존재하는 피에조저항효과를 이용한 벌크 게이지와 실리콘을 적당한 내열성의 베이스