전기전자 실험 - 호올 효과 [Hall effect]

전기적 특성화학양론적 조성에 근접하고 있는 박막들은 Cu/In을 Thermal Evaporation법으로 증착하고, S 분위기에서 200℃로 Sulfurization한 경우이므로 이들 중 대표적인 박막들에 대하여 Hall effect 측정을 하여 표 3에 나타내었다. 표에서 보듯이 p-type과 n-type의 CuInS2이 교대로 나타나고 있다. 그 원인을 분석하기 위해 Stoichiometry에서 벗어나는 오차 정도를 잘 표현하는 ΔS 값을 구해 보았다.(△y=2S/(Cu+3In)-1) 값이 (+)이면 p-type이고 (-)이면 n-type으로 알려져 있는

전자석에 축탐침은 솔레노이드(solenoid)의 자기장 측정에 주로 사용된다. 또한 탐침용 소자는 선형성과 온도 안정성이 좋은 InAs가 많이 사용되며 두께가 매우 얇다. 4. Experiment도선에 흐르는 전류에 따른 자기장의 크기를 측정하는 실험을 위해, 크기가 각기 다른 원형도선과, 자기장을 측정하는 Tip이 설치된 검사기를 준비한다.원형도선은 직경이 6㎝, 8㎝인 것으로 두 개를 준비하여 길이의 변화에 대한 자기장의 변화를 측정한다. 또한

홀 효과 측정(Hall Effect Measurements)1. 실험 목적- Hall 효과 측정을 통해 다수캐리어 농도가 서로 다른 반도체 시편들의 전기적인 특성(전기저항률, 캐리어 이동도, 캐리어 농도)을 측정하고 비교 평가 한다.2. 실험 관련 이론2.1. 홀 효과(Hall Effect)홀 효과는 1879년 미국의 Edwin H. Hall에 의해 발견되었다. 다음은 그의 사진이다.Edwin H. Hall (1855 - 1938)홀 효과에 의해 간단한 실험 장치와 방법으로 반도체 재료의 중요한 전기적인 특성인 전하 캐리어의 종류(n형

전자가 5개)을 첨가해서 만든 반도체이다. 즉, 음(-)의 전하를 가진 자유전자가 운반자로써 이동하여 전류가 흐르는 것이다. N형반도체는 도너(불순물)에 의해서 만들어지며, 도너에 의해서 형성되는 준위를 ‘도너준위’라고 한다.4. P형 반도체, N형 반도체5. Hall Effect를 이용해서 얻을 수 있는 값과 사용분야: Hall Effect 실험을 할 때, 전류, 두께, 자기장의 값을 알면 홀 전압, 홀 계수, 비저항, 이동도 등을 알 수 있다. 또한 홀 효과(Hall Effect)의 원리를 이

전자이동도에 있다. HEMT는 전자이동도, 즉 전자가 쉽게 이동할 수 있기 때문에 게이트에 걸어야하는 요구 전압이 낮다. 이는 낮은 전압에서도 고속의 안정된 동작을 가능하게 한다. 이는 낮은 전압에서도 고속의 안정된 동작을 가능하게 한다. 이러한 특징은 집적화에 효과적으로 응용할 수 있는 특징이다. 요구 전압이 낮다면 가정에서의 220V같은 큰 전압을 걸어주지 않아도 회로는 작동을 할 수 있기 때문에 소형 전자 제품에 사용하기 적합한 특징이다