[전자재료실험] MOS capacitor 의 C-V, I-V 특성 측정 실험

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

I-V curve1-1 Related TheoryMOS capacitor의 I-VIV절연파괴03결과 및 데이터 분석2. I-V curve2-2 Experimental Result① 구조상의 차이② 표면의 상태 결함③ 표면반응④ 증착 시 오류결론 041. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도-실험상의 오류2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이-hysteresis 현상3. SiO2에서의 Leakage current 현상-두 물질의 구조적 차이-증착시 오류WINTERTemplate1 Solid State Electronic Devices - Ben Stre

전자재료실험 MOS Capacitor SiO2 산화층 두께가 Capacitor 에 미치는 영향.hwpⅠ. 실험 목적MOS capacitor를 직접 제작해보고, 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)를 다르게 함으로서 C-V 그래프와 I-V 그래프를 분석하여 산화층의 두께가 capacitor에 어떤 영향을 미치는지 알아본다.순서 ①. P-type의 Si waferP-type의 Si wafer를 준비한다.순서 ②.② wafer의 반응부산물을 제거하기 위해 Cleaning을 해준다. Cleaning과 초음파 세척기- 아세톤, 에탄올, DI-water(증

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

1. 실험목적2. 이론 배경 지식3. 실험순서4. 예상결과5. 결과 및 분석6. 결론7. 참고문헌실험목적MOS 소자를 만드는 과정을 이해한다. Metal 종류, oxide 종류, 증착방법에 따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.이론 배경 지식MOS의 이해MOS Capacitor의 구조그림 1. MOS capacitor의 구조MOS capacitor는 metal, oxide, semiconductor로 구성된 capacitor이다. 이것은 일반적인 capacitor의 한쪽 도체 판을 반도체인 p-type 또는 n-type