[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서

C-V그래프의 경향 2) 10Hz에서의 두께에 따른 C-V그래프의 경향 3) 1kHz에서의 두께에 따른 C-V그래프의 경향 4) 1MHz에서의 두께에 따른 C-V그래프의 경향 (2) AC전압의 frequency 별 C-V그래프의 변화 (3) 두께별 I-V 그래프의 변화 6. 결론 (1) 실험결과 분석 (2) 오차의 원인 분석 1) 기계의 오작동 또는 샘플 제작 시 실수 2) Leakage current(누설 전류) 3) Deep depletion 7. Reference 1. 실험 목적전자재료실험 결과보고서MOS capacitor의 산화막 두께에 따른 C-V와 I-V값을 측정

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등

본문목차1. 실험목적 2. 실험배경 3. 실험이론 1) Mos Capacitor 2) C-V 그래프 3) I-V 그래프 4. 변수설정 및 결과예상 1) 산화막의 두께 2) 금속 전극의 종류 5. 실험 과정 1) Si wafer 준비 2) Metal 증착 3) 반대전극 형성 4) 시편의 전기저항 측정 5) I-V, C-V 그래프 측정 6. 결 과 1) I-V 그래프 2) C-V 그래프 6. 고 찰 1) I-V 그래프 2) C-V 그래프 7 결 론 8. 참고문헌 1. 실험목적MOS capacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm,

- 목차 -1. 실험 목적p. 22. 실험 배경p. 23. 실험 이론p. 2① Si의 특성p. 2② MOS Capacitorp. 3③ E-Beam의 구조와 증착원리p. 84. 실험 방법p. 95. 결과 예측p. 116. 결과 분석p. 12① C-V 결과 분석p. 12② I-V 결과 분석p. 167. 결론p. 198. 참고문헌