[전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석

실험 배경3. 실험 이론3-1 MOS Capacitor3-2 Oxide 증착법4. 결과 예측4-1 금속 종류에 따른 C-V, I-V 특성4-2 전극 크기에 따른 C-V, I-V 특성5. 실험 장비 및 방법5-1 실험 장비5-2 실험 방법6. 실험 결과6-1 C-V6-2 I-V7. 결론8. 참고 문헌1. 실험 목적MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층을 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal의 종류(Au&Ti)와 전극크기를 변수로 두고 C-V특성과 I-V 특성을 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.2. 실

- 목차 -1. 실험 목적p. 22. 실험 배경p. 23. 실험 이론p. 2① Si의 특성p. 2② MOS Capacitorp. 3③ E-Beam의 구조와 증착원리p. 84. 실험 방법p. 95. 결과 예측p. 116. 결과 분석p. 12① C-V 결과 분석p. 12② I-V 결과 분석p. 167. 결론p. 198. 참고문헌

실험목적 (Purpose)MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.2. 실험변수 (Variables)산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하여 변수를 3가지 SiO₂ 두께(100nm, 200nm, 300nm)로 설정하였고, 통제 변인으로는 metal을 Ti로 정하였다.3. 이론배경 (Theories)3.1. Si 특성그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단

실험 과정 1) Si wafer 준비 2) Metal 증착 3) 반대전극 형성 4) 시편의 전기저항 측정 5) I-V, C-V 그래프 측정 6. 결 과 1) I-V 그래프 2) C-V 그래프 6. 고 찰 1) I-V 그래프 2) C-V 그래프 7 결 론 8. 참고문헌 1. 실험목적MOS capacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOS capaci

C-V, I-V를 측정Ag paste를 MOS 소자의 아랫면에 발라준 후 Voltage를 인가하여 Capacitance와 Current를 측정하였다. Capacitance는 Voltage를 -2V~2V, step 0.1로 인가하여 측정하고, Currrent는 voltage를 0~-10V, step 1로 인가하여 측정한다.④ C-V, I-V 분석C-V, I-V data를 그래프로 나타내어 분석한다.4. 변수 및 결과① 실험 변수각 조별에 따른 변수들의 차이는 아래와 같고, 절연막은 30nm, 전극의 두께는 100nm, Pattern size는 700um로 동일하게 하여 MOS capacitor를 제작하였다.Oxide-layerMeta