반도체 제조 장치 중 리소그래피 장치
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- 목차
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Ⅰ. 리소그래피 기술의 개요
Ⅱ. 리소그래피 기술의 응용
Ⅲ. 리소그래피 장치의 분류
Ⅳ. 장치의 실제 예
ⅰ. 웨이퍼 트랙
ⅱ. 스테퍼
ⅲ. 드라이에칭 장치
ⅳ. 애싱 장치
- 본문내용
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리소그래피 기술의 개요
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치)에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판막을 에칭하고, 불필요해진 포토레지스트를 제거하기까지에 이르는 일련의 프로세스 흐름을 말한다. 기판막을 에칭할 목적이 아닌, 이온 주입의 마스크로서 포토레지스트의 패턴을 형성하게 되는 경우도 있다. 포토레지스트에는 그 밖에도 평탄화를 위한 희생막으로서의 용도 등도 있다. 리소그래피 공정은 반복되는 각종 기본 가공기술의 중심이며, 클린룸 내의 물류는 리소그래피 영역을 중심으로 행해진다.
현재의 VLSI 디바이스에서는 리소그래피의 횟수, 즉 포토마스크의 수는 20장 이상이나 달하고, 배선층수가 증가하면 30장을 넘는 경우도 있다.
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