- sk하이닉스 인턴
웨이퍼 공정 방법에 따른 탄소나노튜브 개발’, 관련 전공과목들인 반도체공학, 소자 및 공정, 물리전자, 응용전자회로 등을 통해 기본기를 탄탄히 하였습니다. 또한 반도체 관련 회사에서의 품질 보증팀, 하드웨어 개발팀에서의 경험을 통해 제품 개발 및 철야를 통한 고객요구 대응, 제품검사 기준정립 등을 상당히 중요시 여겼으며 이러한 제품기술개발, 고객 대응 분야는 제 적성이라는 것을 알았습니다. 나아가 일은 즐겁게 해야 한다는 마음으로
- [반도체공정실험] MOS capacitor 직접 제작, 공정
방법중에 하나인 ALD를 이용하면 원자 한층한층을 쌓는 원리 이기 때문에 E-beam증착과 비교 시 불순물의 유입으로 인한 두께차이가 발견되지 않을 것이고 목표로한 정확한 두께로 증착이 될 것으로 보인다. 7. 참고문헌1) Ben Streetman, 《Solid State Electronic Devices 6th》2) 박장식, 송정근, 이준신, 최양규 공저, 《반도체공학》3) MOSFET MEDELING FOR VSLI SIMULATION, Narain Arora. World scientific Robert F.Pierret, 《반도체소자공학》4) 민홍식 외 3, 《Nanocad와 함께하는 반도체
- [전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석
2.2, 한만희, 이강원 (E-Beam Evaporator)● 금속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과, 박현우, 장현룡, 황호정, 중앙대학교 전자공학과 (열처리 효과● 그 외의 참고문헌- http://npl.postech.ac.kr/?mid=topicnanopattern- Nanodevice Laboratory Hyungjun Kims Research Group -Nano Deposition- http://www.icmm.csic.es/fis/english/evaporacion.html- http://en.wikipedia.org/wiki/Evaporation(deposition)목차1. 실험목적2. 실험배경3. 실험이론4. 실험장비5. 실험방법6. 실험결과분석7. 참고문헌
- [전자재료실험] MOS Capacitor
제작하기 위해서는 유전율이 큰 산화물재료를 사용해야 한다는 점이고 동시에 사용되는 산화물의 두께는 얇으면서도 누설전류를 잘 억제하는 재료여야 한다는 결론을 내릴 수 있다.8. 참고문헌1) 핵심반도체개론 -장지근 외2) 반도체소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee 4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -明正水7) Jo
- 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
웨이퍼(Wafer)가 됩니다.연마 직후의 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 순수 상태이기 때문에 반도체의 성질을 갖도록 웨이퍼 표면에 여러 가지 물질을 형성시킨 후, 설계된 회로 모양대로 깎고, 다시 물질을 입혀 깎아 내는 작업의 반복이 필요합니다.이 모든 공정의 기초 단계인 산화(Oxidation)공정은 웨이퍼에 여러 가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 고온(800~1,200℃)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO