[반도체기술] 플라즈마 식각 기술
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- 목차
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Ⅰ. 서 론
1. 플라즈마란?
2. 플라즈마의 활용
Ⅱ. 본 론
1-1. 플라즈마의 발생원리
1-2. 플라즈마의 특성
2-1. 직류 플라즈마, 교류 플라즈마
2-2. ICP
2-3. Radical 이란?
3-1. Wet etching VS. Dry etching
3-2. 플라즈마 etching mechanism
3-3. 플라즈마 Etching
3-4. 비이상적인 etching 현상
4-1. 식각을 결정하는 두 요소
4-2. 대기압 플라즈마, 진공 플라즈마
Ⅲ. 관련 특허기술
Ⅳ. 결 론
Ⅴ. Reference
- 본문내용
-
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의 유도전기장 발생
플라즈마 내 전자가 전기장 방향 따라 가속되어 에너지 얻음
고밀도 플라즈마 형성
3) ICP의 장단점
4) Helical 공명장치
ICP의 한 형태(차이점 : 공진을 이용)
나선형 공진기(helical resonator)가 Mhz
주파수 영역에서 작동
저압 플라즈마의 생성
장점
◆ 강한 자기장이 필요 없음
◆ 비교적 저렴한 RF전력 사용
◆ 저압에서 플라즈마 점화가 용이
단점
◆ 반응실과 공정실이 분리
2-3. Radical 이란?
1) Radical (Free Radical)
1개 또는 그 이상의 짝짓지 않은 전자를
가진 독립적으로 존재하는 화학종
불안정하고 큰 반응성과 짧은 수명을
특징으로 가진다.
- 참고문헌
-
박막공학의 기초. 최시영. 일진사. 2001.
플라즈마 물리공학. 박덕규. 청문각. 2005.
소재분석 및 증착 실무. 은상원 외 3명. 상학당. 2007.
공정 플라즈마 기초와 응용. 정진욱. 청문각. 2003.
플라즈마. 나노생산기술연구센터 (연세대 공과대학 기계공학부). 2003.
플라즈마 식각기술. 염근영. 문운당. 2005.
http://psel.snu.ac.kr
http://www-ph.postech.ac.kr
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