[반도체] Chemical Vapor Deposition(CVD)

CVD - Chemical Vapor DepositionCVD란 chemical va-por deposition의 약어로 화학적기상성장법을 말하는데반도체기판상에 화학반응을 이용해 실리콘(SiO⁴) 등의 박막을 형성시키는 공정을 말한다. 반도체기판상에 박막을 형성시키는 방법인 CVD는 기판표면의 배선.전극 등에 다른 종류의 가스와 고체 또는 가스와 액체의 화학반응에 의해 생성되는 박막퇴적물질을 부착시키는 공정상의 방법을 말한다. 반도체기판에 박막을 형성하는 방법에는 기판상에 금속을 물리적

CVD(Chemical Vapor Deposition) 41p5.1. LPCVD 47p5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 48p5.3. APCVD 50p6. 분자빔 결정법(MBE) 51p7. 박막 증착의 예 53p7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT) 53p8. PVD와 CVD의 차이 비교 55p9. 증착법의 실제 적용 분야 56p9.1. 증착법의 기술전망 60p10. 포토리소그래피 63p11. 식각 66p그림목차그림 1. 증착법의 종류 6그림 2. 세척 장비 7그림 3. 증착법 도표 8그림 4. 온도와 코팅 두께의 상관 관계 8그림 5. Step Coverage 10그림 6. 잘된 증착의 판별

Surface Treatment ProcessesChemical Vapor Deposition교과목 : 담당교수 : 학 과 : 학 번 : 이 름 : 목 차1. 서론 12. 본론 12.1 CVD 공정의 원리 -12.2 CVD 공정의 특징 및 장점 22.3 CVD 공정의 분류-22.4 CVD 공정의 세부 응용 분야32.5 CVD 공정의 최신동향-33. 결론-34. 그림 및 표

가능하다.LPCVD 박막의 이용응용 분야- silicon-gate MOS 공정 - auto-doping이 적다.- 고체 확산원으로서의 박막- 집적회로의 격리용 박막- 기타, 반도체 공정의 모든 분야로 metal (Cu, Al 포함)까지도 LPCVD를 이용하게 되었으며, 그 영역을 더욱 넓혀나가게 될 것이다Reference“Chemical Vapor Deposition.” http://www.ee.ucla.edu/~jjudy/classes/EEe150L/lectures.“Deposition Processes”http://www.ee.ucla.edu/~jjudy/classes/EEe150L/lectures박막 공정 자료 http://www.ofthinfilm.com/thinfilmcontent00.htm

Chemical Deposition유체(액체, 기체) precursor(씌우고자 하는 층이 될 잠재 물질)는 고체 표면에서 화학적 변화를 일으켜, 고체 층을 만든다. 유체가 고체 표면을 둘러싸기 때문에 방향에 관계없이 증착은 모든 표면에서 일어난다. 따라서 chemical deposition 기술에 의한 박막은 표면 전체에 걸쳐 두께가 동일하다. (1) CVD(Chemical Vapor Deposition)CVD는 기체 상태의 precursor를 쓰며, 보통은 낮은 압력의 precursor 기체를 사용한다. 기체들 간의 화학 반응에는 주로 열에너지