[반도체] 반도체 전공 면접 예상 질문

등록일 / 수정일
페이지 / 형식
자료평가
구매가격

2009.10.05 / 2019.12.24
11페이지 / doc (MS워드 2003이하)
평가한 분이 없습니다. (구매금액의 3%지급)
1,500원

다운로드장바구니

Naver로그인

Kakao로그인

최대 20페이지까지 미리보기 서비스를 제공합니다.

자료평가하면 구매금액의 3%지급!

추천 연관자료

하고 싶은 말: 반도체 면접 준비를 위한 자료로서 가장 빈번하게 출제되는 40여 문/답을 정리 하였습니다.
면접 시 말로 표현하기 쉽도록 정리한 것이 특징입니다.
반도체 소자의 Bible 이라 할 수 있는 Streetman의 Solid State Electric Device를 참고하였습니다.

목차: 1.Moore’s Law
2.Ge 대신 Si 사용 이유
3.에너지 밴드를 이용한 metal, semiconductor, insulator 비교
4.Fermi Level이란?
5.Pauli 배타율이란?
6.상태밀도 함수란?
7.Thermal Equilibrium state와 steady state의 차이점
8.Intrinsic Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
9.n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
10.Donor와 Accepter의 종류 및 Fermi Level의 변화
11.Fermi level의 온도의존성
12.Doping 농도 및 온도에 따른 carrier mobility 변화
13.온도에 따른 반도체와 금속의 비저항 특성 비교
14.Band bending 이유
15.Direct/indirect recombination의 비교
16.p-n junction diode의 동작
17.Depletion Region 이란?
18.step junction과 linearly graded junction profile 비교
19.Built in Voltage란?
20.diode와 tr의 I-V 특성 곡선
21.Early Effect(Base Width Modulation)
22.Shottkey(diode) & Ohmic Contact 비교
23.doping concentration이 감소하면 VBR이 증가하는 이유
24.Eg가 증가하면 VBR이 증가 하는 이유
25.emitter efficiency, base transport factor, current gain 이란
26.n-channel MOSFET의 동작 mechanism
27.CMOS, BJT 동작 원리
28.Short Channel Effect와 방지 방법
29.Body Effect
30.Channel Length Modulation
31.Subthreshold Conduction Effect
32.DIBL(Drain-induced Barrier Lowering) Effect
33.Hot Carrier Effect
34.LDD(Lightly Doped Drain) 공정
35.Narrow Channel Effect
36.Flat Band Voltage 와 Vth의 관계(Modified Work Function)
37.Gauss’s law
38.Ampere’s law
39.Faraday’s law
40.Ohm’s law
41.Continuity Equation
42.Poisson Equation
43.Laplace Equation 정의

본문내용: 9. n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화

매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni가 Nd와 비등해 질 때까지(intrinsic carrier 농도가 도너 농도와 비등해 질 때까지) 캐리어 농도는 온도에 영향을 받지 않는다. 온도가 더 증가하면서 진성캐리어 농도는 Nd보다 훨씬 증가하고 ni가 지배하게 된다.

10. Donor와 Accepter의 종류 및 Fermi Level의 변화

도너는 주로 V족 원소로 P, As, Sb 원자로 Conduct band 주위에 에너지 준위가 형성되어 쉽게 전자를 exitation 시킬 수 있으며 페르미 준위는 상승한다.
억셉터는 주로 3족 원소로 B, Al, In 원자로 Valence band 주위에 불순물 준위를 만들어 valence band의 전자를 받아들이고 페르미 준위는 내려간다.

11. Fermi level의 온도의존성

Fermi – Dirac 분포함수는 절대온도 T에서 전자가 점유할 확률을 나타내고 이 확률이 1/2인 에너지 준위를 Fermi level이라고 한다. 이 Fermi level은 온도의 영향은 받지 않고 페르미 함수는 Ef를 중심으로 대칭적은 분포를 나타낸다. 온도가 높아질수록 높은 에너지가 충만해지고, 낮은 에너지는 비어질 확률이 높아질 뿐 페르미 에너지는 변화가 없다.

12. Doping 농도 및 온도에 따른 carrier mobility 변화

Doping 농도가 높아지면 impurity scattering의 영향이 커져 mobility는 감소하게 된다.
온도가 높아지면 격자들의 요동이 커지므로 전자 이동에 방해가 되어 mobility가 감소한다. 반대로 온도가 너무 낮아지면 캐리어의 열적 운동도 낮아지므로 mobility가 감소하게 된다.

참고문헌: 출처 : Solid State Electronic Devices, 6th edition, Ben G. Streetman

자료평가

아직 평가한 내용이 없습니다.

회원 추천자료

현대케피코 면접 최종합격자의 면접질문 모음 + 합격팁 [최신극비자료]

면접에 임하시겠습니까?B. 면접에 임하는 자세 및 노하우 팁◇ 임원면접 후기 및 합격 팁!★대기업의 채용프로세스1차 서류 적합부적합평가 인적성 검사(필기) 1차 면접(실무진) - 2차 면접(임원) 건강검진 - 최종합격★최종면접이 잡히고 난 뒤 했던 활동과 후기면접스터디를 통해 본인의 직무/전공/회사에 대한 면접예상질문을 먼저 프린트하며 사람들과 돌아가며 진행했었고 이를 통해 공공/대기업 등 여러 회사들이 원하는 인재상이란 무

와이솔 최종합격자의 면접질문 모음 + 합격팁 [최신극비자료]

한국전력공사 자기소개서 자소서 0k

면접 합격 KT신입 : 직무 합격 한국수력원자력신입 : 서류 합격한화탈레스신입 : 직무 합격 삼성전자신입 : 서류 합격 LG전자신입 : 서류 불합격SK하이닉스신입 : 서류 불합격 LS산전신입 : 서류 불합격-한국전력공사기술직에 최종 합격하게 된 소감과 본인이 합격하게 된 이유는 어떤 것이었다고 생각하나요?전기기사도 없고 전력공학에 관한 공부도 제대로 하지 않은 채로 NCS와 면접을 치르게 되었습니다. 전공질문이 많이 들어왔던 면접에

[면접] 취업 면접 완벽 가이드(채용 면접 요령 및 예상 질문)

☙ 취업 면접 완벽 가이드채용면접 요령 및 예상 질문제1장 면접이란 무엇인가1. 면접의 정의2. 면접의 중요성3. 면접시험의 종류 및 대응법4. 면접의 진행 절차제2장 효과적인 면접 준비방법1. 면접에 임하는 자세2. 면접을 위한 이미지 메이킹3. 면접을 위한 성공 전략4. 면접관의 질문 의도 파악하기제3장 호감을 주는 면접화법1. 면접을 위한 대화 기술2. 효과적인 답변 자세3. 면접관에게 호감을 주는 방법4. 실전에 대비한 면접 훈련법제4장

[인사관리] 선발

반도체, 휴대폰 이후를 생각하기 때문이다. 지금 삼성은 사상 최대의 호황기를 맞고 있지만, 이건희 회장이 불안해하는 것은 5년, 10년 후에도 그러리라는 보장이 없기 때문이다. 그래서 그는 기업이 살아남고 일류를 유지하려면 현재에 만족하기보다는 부단한 개혁과 노력이 필요하다는 것을 강조하고 있다. 5년, 10년 후에도 삼성을 세계 초일류기업으로 만들어 줄 사람은 천재적인 아이디어와 기술을 가진 사람뿐이라는 것이 이건희 회장의 생각이다.

오늘 본 자료 더보기

오늘 본 자료가 없습니다.

최근 판매 자료

Naver 로그인

Kakao 로그인