[실험] 차동증폭기와 전류미러(Current mirror)

증폭기 회로들에 대해서 살펴볼 것이다. 기본적인 증폭단두 가지의 BiCMOS 증폭단을 제시하기 전에, 기본적인 BJT 와 MOS 증폭단을 조사하고 비교해 보기로 하자. 그림 6.35(a)에 능동 부하를 사용한 BJT 공통-에미터 증폭기를 나타냈다. 우리는 이 회로를 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 차동 증폭기의 반쪽 회로로 간주할 수도 있을 것이다. 전류-전원 부하가 무한히 큰 증분 저항을 가진다고 가정한다면, 컬렉터에서의 전체 저항은 BJT의 출력 저항 ro일 것

증폭기 & 전류원으로 동작하지 않게 된다. 그러므로 ICMR+는 14.6V가 된다. 또한, ICMR-가 -12.5V보다 작아지면 Q3,Q4가 Saturation 되므로 ICMR-는 -12.5V가 된다.24Q7의 Base 전류를 무시하면, ic5≈αie 가되며,Q5,Q6의 Base가 묶여 있으며, 같은 값의 저항(R1=R2)들이 연결 되어 있으므로 두 트랜지스터의 ic5=ic6는 같을 것이다. 즉! 이 회로는 Current mirror로 작동하게 되며,출력전류 io=2αie가 된다28Q3,Q4의 Common Base가 virtual ground라고 가정하고, Q6의 Base가 신호 접지는 아니지만,

실험목적이론변조(Modulation)변조의 방식변조의 종류DSB-SC Modulation : (Double Side Band with Suppressed Carrier)DSB-SC Demodulationprove 보정필요한 이유prove 종류1. 수동(Passive) 프로브2. 능동(Active) 프로브3. 차동(Differencial) 프로브4. 전류(Current) 프로브5. 고전압(High-Voltage) 프로브6. 측정에 의한 프로브 구분- 고임피던스 프로브- 저임피던스 프로브Prove 선택시 고려해야할 사항1. 오실로스코프에 따른 선택2. 응용 분야에 따른 선택3. 측정 목적에 따른 선택결

실험- 실험계획 Breadboard에 아래 그림 (a)과 같이 회로를 구성하고 출력을 측정한 후 (b)와 같이 회로를 구성하여 출력 전압이 0이 되도록 가변저항을 조정한다.- 실험예상(a)와 같이 회로를 구성하였을 때 실제로는 OP Amp내부의 불균일 때문에 입력단을 0으로 하여도 내부회로에는 수 mV의 전압 (offset 전압) 이 남는다. (b)와 같이 10K의 가변저항을 이용해 출력 전압을 0V로 만든다. 입력 오프셋 전압과 입력 오프셋 전류에 온도특성이 존재하기 때문에 이

실험한 결과 출력의 gain이 잘 나왔다. 이론 값에 비해 시뮬레이션 한 값이 더 크게 나왔다. 이는 Va 추출과정에서 오차가 발생하기 때문이다. 컴펜세이션을 위하여 Cc를 계산하여 회로에 달고 회로의 주파수 대역을 계산한 결과(620.7 kHz) 시뮬레이션을 통해 얻은 값이(562.3 kHz) 오차가 발생하였다. 이는 실제 PSPICE 모델의 파라미터를 일부만 추출하여 계산하였기 때문에 발생하는 오차이다. 최종 시뮬레이션 결과 gain은 15019 v/v 로 설계 조건을 충족 시켰다.