[박막공학] 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition,CVD)(친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)

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목차: 1. 서론

2. 본론
2.1 CVD 공정의 원리
2.2 CVD 공정의 특징 및 장점
2.3 CVD 공정의 분류
2.4 CVD 공정의 세부 응용 분야
2.5 CVD 공정의 최신동향

3. 결론
4. 그림 및 표
5. 참고 문헌

본문내용: 1. 서론
박막공학과 기술은 21세기의 중요한 산업으로 성장해 왔으며, 많은 연구의 대상이 되어왔다. 그 이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 어떤 형태로든 최종적으로 기판에 남아 제품의 신뢰성에 깊이 관여하게 된다. 표면위로의 물질의 수송과 증착에 있어서의 과정에 대한 근본적인 이해와 정교한 기술의 개발을 통하여 다양한 산업에서 요구되는 수준의 박막증착이 이루어지고 있으며 개선되어지고 있다. 이러한 박막증착 방법 중에서 무엇보다도 CVD(Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는 데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광 에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수들이 증착되는 원자의 표면 이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막 제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있기 때문에 이번 보고서를 통해서 CVD에 대해서 알아보고자 한다.

2. 본론
2.1 CVD 공정의 원리
우선 CVD 공정의 구조를 살펴보면 첫 번째로 반응기체를 반응용기에 흘려주기 전에 가스를 섞어주는 가스 배분장치, 두 번째로 기판을 증착 용기 내에 운반하는 장치와 기판을 고정시키는 장치,

참고문헌: [1] Goiyama Hiroshi, ‘CVD핸드북’, 반도출판사, 1993
[2] K.L.Choy, ‘Chemical Vapor depostion of coatings’, Progress in Materials
Science, 2003
[3] Stanley Middleman, K.Hochberg , Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication, Mc Graw-Hill,Inc., 1995
[4] 황호정, ‘반도체 공정기술’, 생능출판사, 1999
[5] 윤현민, 이형기, 반도체 공학, 복두출판사, 1995
[6] 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997
[7] 신현국, CVD/ALD 재료 기술 동향, (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition’, 전북대학교, 2008
[9] http://blog.naver.com/ycin6306/90021955004
[10] http://blog.naver.com/ungoni?Redirect=Log&logNo=140021821478
[11] http://blog.naver.com/evagrn?Redirect=Log&logNo=20003854419
[12] http://cafe.naver.com/semico.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=2

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