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목차: Ⅰ. 정보 저장의 원리

Ⅱ. 강유전체 vs 세라믹 소자

Ⅲ. PVDF와 PVDF-TrFE

Ⅳ. 아이디어 제시

본문내용: Ⅰ. 정보저장의 원리
1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 가장 일반적인 종류의 램이다. Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 리프래시 하는 것을 말하며, Random Access는 메모리칩의 모든 셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을 말한다. 메모리는 컴퓨터가 데이터를 빠르게 액세스할 수 있게 0과 1의 형태로 저장할 수 있도록 전기적으로 충전된 점들의 네트워크이다. 랜덤 액세스라는 말은 프로세서가 어떤 시작 위치로부터 차례로 진행해야하는 것이 아니라, 메모리 또는 데이터 저장 공간의 어떤 부분이라도 직접 액세스 할 수 있다는 의미를 갖는다. DRAM은 SRAM과는 달리 주기적으로 수 밀리 초마다 한 번씩 새로운 전하를 가함으로써 메모리 셀을 재생시켜 주어야한다.
DRAM은 한 개의 capacitor와 한 개의 transistor로 구성되는 메모리 셀 한 개에 1비트를 저장한다. 만약 capacitor가 전하 Q를 가지고 있다면, 이것은 capacitor의 높은 전위 쪽의 도체에 전하 +Q가 있고, 낮은 전위 쪽 도체에 -Q가 있다는 것을 의미한다. 이렇게 되면 capacitor의 두 부분에 전위차가 생겨 전류가 흐르게 된다. 이때 전류가 흐르는지의 여부로 메모리를 저장하는 것이 DRAM이다. 만약 전류가 흐르면 1을 나타내는 것이고, 전류가 흐르지 않으면 0을 나타내게 된다. 이렇게 0과 1로 데이터를 나타내게 되고 이것을 모아 나타낸 것이 메모리가 되는 것이다. 하지만 capacitor는 전자를 보냄으로써 계속 전자를 충전시켜 줘야 한다. 바로 여기에서 refresh하는 과정이 필요하게 된다. 자신의 전하를 보다 빨리 상

참고문헌: [1] 박연정, “PVDF 마이크로 패턴 제조 및 자기조립박막을 이용한 P(VDF-TrFE) 박막 계면 조절”, 연세대학교 대학원, 2004.
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