[신소재, 재료공학] 메모리반도체소자
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- 목차
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1. 메모리 반도체
2. 낸드 플래시 시장
3. 소자 구조 및 작동 원리
4. 회사별 제작 방법
5. 비휘발성 메모리 기술 개요
6. 차세대 메모리와 종류
7. Program/Erasing 방식에 따른 분류
- 본문내용
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1. 비휘발성 메모리 기술 개요
모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 DRAM 일변도만으로는 수년 내에 국내 반도체 산업은 큰 위기를 맞을 수 있다. 그 이유는 현재 모바일, 디지털 환경에 대응하기 위해 DRAM이나 플래시 메모리(Flash Memory)를 논리소자와 결합시킨 embedded 메모리는 제조 공정상의 여러 어려움뿐만 아니라 모바일 디지털 응용에서 요구되는 전원이 차단된 상태에서도 안정적으로 장기간 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성, 저전력, SRAM과 같은 빠른 동작 속도, Gb급 이상의 높은 집적도, 낮은 생산원가 등에서 한계점에 도달해 있기 때문이다. 따라서 DRAM과 플래시 메모리의 태생적 한계를 원천적으로 극복할 수 있고, SoC와 접목할 수 있는 새로운 비휘발성 메모리가 개발되어야 하는 당위성에는 의심의 여지가 없다.
현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 모두 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력의 특선, Flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 결합하려는 시도들이 이루어지고 있다. 현재 비휘발성 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM(Poly mer RAM) 등이 있으며, 그 이외에도 MRAM, FeRAM, 스핀트로닉스 소자등도 많은 연구가 진행 중이다. 이들 소자는 기존의 플래시 메모리에 비해 저전력 소모, 장기간 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성이 월등히 뛰어나고, 쓰기/읽기 동작특성이 낮은 동작전압에서도 월등히 빠르며, 열악한 환경에서도 데이터를 안정적으로 보존할 수 있다. 또한 Gb급 이상의 초고집적화가 가능할 것으로 예상되며, 다양한 논리소자와 인터페이스가 가능함으로써 모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전분야에서 이상적인 메모리로 각광받고 미국, 일본, 유럽에서 활발하게 연구가 진행되고 있다.
- 참고문헌
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“실리콘 나노 결정 Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
- 나노반도체 분야 /한국 특허 정보원 편저/2006
- 플래시 메모리 기술/황현상, 심현보/2003
- 매일경재 홈페이지
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