[전자회로 설계 및 실습] MOSFET Current Source와 Source Follower설계

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MOSFET Current Source와 Source Follower설계 결과보고서입니다.
목차
1. 요 약
2. 서 론
3. 본 론
4. 결 론
본문내용
(1) 설계실습계획서의 3.1.1에서 설계한 IREF를 가변저항으로 맞추어 <그림 9.1>회로를 구현하라. VSS를 접지하고 VDD만을 연결한 상태에서 RREF에 걸리는 전압을 DMM으로 측정하여 IREF를 구하라. VGS를 DMM으로 측정하라. 실제 값과 측정값, 오차를 표로 만들어 제출하라. 오차의 원인은 무엇이라 생각하는가?

(2) VCC와 M2의 드레인 사이에 10Ω저항을 삽입하고 VCC를 연결한 수 10Ω저항에 걸리는 전압을 DMM으로 측정하여 Io를 구하여라. 4.1에서 측정한 IREF와 같은가? 아니라면 이유를 분석하라.

(3) VCC와 M2의 드레인 사이에 10 ㏀ 가변저항을 삽입하고 VCC를 연결한 후 10 ㏀ 가변저항을 최소부터 증가시키면서 가변저항에 걸리는 전압을 DMM으로 측정하여 Io를 구하여라. 결과를 그래프로 그려서 제출하라. 가변저항을 10, 50, 100, 500, 1000Ω으로 증가시키면서 전류는 일정하므로 가변저항에 걸리는 전압도 같은 비율로 증가해야 한다. 이 비율로 부터 측정결과가 심하게 차이가 나는 저항은 얼마인가? 이때의 Vo은 얼마인가? 3.1.1 (d)의 값과 일치하는가? 오차는 얼마이고 그 이유는 무엇이라 생각하는가?

(4) 설계실습계획서의 3.2.1에서 설계한 <그림 9.2>회로를 구현하고 우선 입력 전압신호의 크기를 0 Vpp로 한후 M1, M3의 각각의 drain current(ID)를 측정하여 기록하라(RREF에 연결되는 VDD를 분리하여 연결하고 전류는 DC Power Supply에 표시된 값을 읽어라). 이들 두 전류 값이 같은가? 아니라면 그 이유는 무엇인가?

(5) 입력 정현파 Vs(t)=Asin(2πft)의 진폭으로 설계실습계획서의 3.2.5에서 구한 조건을 만족하는 값으로 고정하고 주파수를 바꾸어가면서 출력전압(Vo)의 진폭을 측정하여 기록하라.

(6) 입력정현파의 주파수를 midband내의 값인 1KHz로 고정하고 를 통해 흐르는 전류(ii)와 양단의 전압(Vi)를 측정하라. 이를 통해 Rin=를 구하라. 설계사양 (1)을 만족하는가?

(7) 입력 정현파의 주파수를 midband 내의 주파수인 1KHz에 고정하고 진폭을 변화시키면서 출력 전압신호에 왜곡이 나타나지 않는 입력 정현파의 최대 진폭을 측정하라.
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