[전자회로] RC 미적분 회로 실험

회로를 구성한다.-전류계, 전압계의 측정 레인지를 정한다.-베이스쪽 가변저항을 조정하여 베이스 전류계에 나타난 전류가 0.0mA가되도록 한다.-콜렉터쪽의 가변전원을 변화시키면서 각각에 대해 콜렉터 전류계에 나타난전류를 측정한다.-베이스 전류를 가변저항의 조정으로 변화시키면서 각각에 대해 콜렉터 전류계에나타난 전류를 측정한다.FILE:LAB2.HWP1. 실험 목적연산 증폭기 (Operational Amplifier)는 전기전자 신호의 고이득 증폭소자로서연산,

전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4개의 2입력 NAND게이트▶TTL-IC 7403:4개의 2입력 NAND게이트,오픈 콜렉터▶TTL-IC

RC 미적분 실험 회로■ R 1 =R 2 =100k OMEGA , C 1 =C 2 =0.001uF , f=1kHz , Vac=0 SIM 10V표 16.1 RC 실험 회로의 시상수(τ=RC)스위치소자값시상수τ(sec)오차(%)S1S2RC이론치측정치단락개방100kΩ0.001uF0.1ms0.12ms20%개방개방200kΩ0.001uF0.2ms0.28ms40%2) RL 미적분 실험 회로■ R 1 =R 2 =100 OMEGA , L 1 =L 2 =10mH , f=1kHz , Vac=0 SIM 10V표 16.2 RL 실험 회로의 시상수(τ=R over L)스위치소자값시상수τ(sec)오차(%)S1S2RL이론

실험할 때는 그림 10-7의 회로를 조금 수정하였다. 커패시터가 터질 위험이 있을 수도 있다고 하셔서 커패시터 아래 10kΩ을 추가해주었다.표 10-1RC회로시정수RC이론값(sec)측정값(sec)오차1kΩ10uF0.110.19.091kΩ100uF1.11.29.0910kΩ10uF0.20.114510kΩ100uF21.240표 10-2 RC회로출력파형비고RC1kΩ10uF시간 축 한 칸이 100ms1kΩ100uF시간 축 한 칸이 1s10kΩ10uF시간 축 한 칸이 50ms10kΩ100uF시간 축 한 칸이 250ms⑵ 미적분회로 그림 10-2, 그림10-3에

RC회로1.실험목적- RC회로에서 축전기의 충전과 방전현상을 이해하고 시간상수를 측정하여 전기용량을 계한할 수 있다.- 실험장치의 전압센서를 이용하여 회로의 축전기 양단의 전압을 측정하여 회로에서의 축전기의 역할을 설명할 수 있다.2.배경이론(1)축전기(capacitor)주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치이다. 진공 축전기, 공기 축전기, 금속화종이 축전기 등이 있다. 보통 2장의 금속판을 전극으로 하고 그 사이에 절연체(유전체)를 넣은 구조로