[일반 물리학 실험 옴의 법칙 다이오드 결과레포트] 일반 물리학 실험-전기저항 옴의 법칙 다이오드
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A+ 일반물리 결과레포트입니다~
정성껏 쓴것이니 참고하세용~ ^^
- 목차
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실험 제목 : 전기 저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
1.실험 목적
2.실험 장치 및 기구
3.이 론
1)옴의 법칙
2)다이오드의 특성
3)다이오드의 사용 예
4.실험 결과
실험 1. 저항값 측정
실험 2. 전류 측정 (저항일 때) = 옴의 법칙
실험 3. 다이오드일 때
1)순 방향일 때
2)역방향일 때
실험 4.전구일 때
5.분석 및 토의
- 본문내용
-
실험 제목 : 전기 저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
1.실험 목적
저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항값에 대한 색코드를 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류) 특성을 본다. 이를 통하여 물질에 따른 전기 특성의 차이를 비교하여 본다.
2.실험 장치 및 기구
♦ 회로관
♦ D-cell 건전지 2개
♦ 전압계 및 전류계
♦ 전기저항, 다이오드
♦ 전선, 그래프 용지
♦ 전구
3.이 론
1)옴의 법칙
● 옴의 법칙(V=R*I)
어느 저항체에 걸리는 전압 V 와 이에 흐르는 전류 I의 비율을 R이라 한다. 즉,도체내의 2점간을 흐르는 전류의 세는 2점간의 전위차에 비례하고, 그 사이의 전기 저항에 반비례한다는 법칙이다.
● 옴의 법칙의 한계성
전기 회로에서는 옴의 법칙이 비교적 잘 적용되는 금속 도체를 사용한 경우이고,반도체를 이용한 다이오드나 트렌스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.
2)다이오드의 특성
●P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로써 접합면에서 전기적인 복잡한 현상이 일어난다. P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 직후 접합면에서 일어나는 현상
5.분석 및 토의
이번 실험은 옴의 법칙 다이오드의 특성을 이해하는 것이었다. 실험 목적에서 양끝에 전압에 따라 흐르는 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 확인하고 다이오드의 특성을 확인하는 것이었다. 실험 1의 결과값에서 저항 측정을 했는데 저항 값의 오차범위를 생각하면 오차율은 그리 크지 않았다.
실험2에서 저항을 연결하고 전류를 측정했는데 옴의 법칙의 공식을 대입해보니 전압이 작을 때 보다 클 때 전류의 값의 오차율이 더 작아지는 것을 볼 수 있었고, 그리고 저항 대신 전구를 연결했을 때도 전구의 저항을 생각하면 전압이 높아질수록 전류가 많이 흐르는 것을 보아 옴의 법칙이 성립하는 것을 볼 수 있었다. 그리고 다이오드의 특성을 보면 순방향 일 때 전류가 이차 곡선을 그리는 것을 이론에서 알 수 있었고 실험 값에서 볼 수 있었다. 마찬가지로 역방향 일 때 전류가 0이라는 것을 그래프로 알 수 있었고 실험값으로 볼 수 있었다. 이것은 순방향일 때 전압이 높아질수록...........중략.........
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