[전자공학] 반도체공정(Lithography)

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  • 2006.10.10 / 2019.12.24
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[전자공학] 반도체공정(Lithography)에 대한 자료입니다.
목차
Lithography(공정)
반도체 공정 과정
Deposition(증착)
Lithography(리소그래피)
Etching(식각)
Packaging(패키징)
Lithography 과정
표면 준비
스핀 코팅
공기 건조
소프트 베이크
정렬과 노출
현상
세척 및 건조
하드 베이크
식각
감광막 제거
Lithography 정의
감광제(Photoresist) 정의
양성 감광제 (Positive Photoresist)
음성 감광제 (Negative Photoresist)
양성 및 음성 감광제 의 비교
마스크 패턴 과정
PR spin coating
Soft Bake
Exposure
Development
Hard Bake
PR spin coating
Soft Bake
Exposure
Exposure Methods(노출방법)
음영 인쇄법(Shadow Printing)
접촉 인쇄법(Contact Printing)
근접 인쇄법(Proximity Printing)
투사형 인쇄법(Projection Printing)
음영 인쇄법(Shadow Printing)
투사형 인쇄법(Projection Printing)
Development
Hard Bake
마스크(Mask)
마스크의 종류
사진 마스크(Photo Mask)
에멀젼 마스크(Emulsion Mask)
경질 마스크(Hard surface Mask)
유리 마스크
사진 마스크
에멀젼 마스크
경질 마스크
유리 마스크
Lithography 검사
현상 검사
식각 검사
최종 검사
마스크 검사
현상 검사
식각 검사
최종 검사
마스크 검사
문제점의 현상, 원인, 영향

참고 기술
적외선 베이크
굽는 방법의 비교
적외선 오븐 설치
적외선 베이크가 웨이퍼에 미치는 영향
적외선 베이크 공정 조건 의 결정
광원(Light Sources)
마스크의 휨(flex)
방사 노광기술(Radiation Lithography)
X-선 노광기술(X-ray Lithography)
전자빔 노광기술(Electron-beam Lithography)
이온빔 노광기술(Ion-beam Lithography)
비노광기술(Nonoptical Lithography)
Dip-pen 나노노광기술
나노각인 노광기술(NIL: Nano Imprint Lithography)
적외선 베이크 굽는 방법의 비교
적외선 오븐 설치
적외선 베이크가 웨이퍼에 미치는 영향
적외선 베이크 공정 조건의 결정
광원(Light Sources)

마스크의 휨(flex)

방사 노광기술(Radiation Lithography)
X-선 노광기술(X-ray Lithography)
전자빔 노광기술(electron-beam lithography)
이온빔 노광기술(ion-beam lithography)
비광노광기술(nonoptical lithography)
DIP-Pen 나노노광기술
나노각인 노광기술(NIL:nano imprint lithography)
본문내용
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되어 있다.

2. 감광제에는 양성 감광제와 음성 감광제가 있다.
양성 감광제 (Positive Photoresist) 는 빛이 조사된 부분이 현상액에
녹으며 음성 감광제 (Negative Photoresist)는 이와 반대로 빛이
조사된 부분이 현상 때 녹지 않는 감광제를 말한다.
참고문헌
원문:Harun H Solak, Nanolithography with coherent extreme ultraviolet light, J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R171–R188, 2006.5.5 KAIST 문상준
반도체 공학(2001)허규성/일진사
반도체공정개론(번역판)리차드예거,역:이상렬/교보문고
미세전자공학(번역판)스티븐A.캠벨,역:이상렬/홍릉과학출판사
자료평가
  • 자료평가0자료평가0자료평가0자료평가0자료평가0
  • 기본적으로 Lithography의 개론에 대해서 잘 알려주신 듯 합니다.
  • msj***
    (2010.04.01 10:52:08)
  • 자료평가1자료평가1자료평가1자료평가1자료평가1
  • 목차가 전부입니다.
  • elspffk***
    (2008.07.15 04:04:06)
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  • 리소 그래피 Lithography3
  • 이미 입증되었고, 휴대전화의 경우 출력을 대폭 줄일 수 있으므로 전자파를 인체에 거의 무해한 정도로까지 줄일 수 있다. 탄소나노튜브를 이용한 전계방출 디스플레이는 열을 가하지 않고 TV 화면을 밝히기 때문에 이를 응용하면 에너지 소비가 획기적으로 줄어들 것으로 예상된다. 나노기술은 21세기에 중요한 부분을 차지할 것이며 소재에서도 반도체의 뒤를 이어, 또한 반도체와 함께 차세대에 각광받는 새로운 재료로 자리매김할 것이다.

  • 리소그래피2
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  • 리소그래피 lithography5
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  • [정보 디스플레이] FED용 전자총의 발전방향
  • 반도체 공정에 의해 일괄-대량 제조가 가능하다는 점 등을 들 수 있다. ⑥낮은 소비 전력⑦화상 왜곡 현상이 없음⑧피크 휘도가 높음 ◈ FED의 분류(전극 구조에 따라)3) Field emission 재료반도체 물질을 포함한 많은 종류의 물질이 field emission 재료로 사용됨이상적인 field emission tip에 대한 조건은①높은 전자 방출 량에 견딜 수 있는 높은 용융점 물질②낮은 일 함수③진공 상태에서 낮은 증기압 특성 갖는 재료대표적 물질 silicon 이용한 반도체 물질

  • 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정과 잉크젯 프린팅 공정의 차이와 잉크젯 프린팅 공정을 적용하였을 경우 얻어지는 장점
  • 공학실험1예비보고서목 차A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정1.Photolithography 1.2.Phothlithography 과정2. Optical-lithography의 한계3. Post- Optical lithography3.1 E-beam lithography3.2 X- ray lithography4. SPM을 이용한 나노 리소그라피 4.1 SPM을 이용한 리소그라피의 종류와 방법4.1.1 여러 가지 SPL 기술5. 나노임프린트 리소그래피6. 소프트 리소그래피 B. 잉크젯기술의 배경 및 핵심기술 1) 잉크젯기술의 장점2) 응용분야 ※은(silver)  합성 과정( polyol process)※점

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