[나노기술] Nano Lithography
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- 목차
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목차
1. Photo lithography
Photo lithography 과정
노광시스템
용어설명
2. Optical Lithography의 한계
3. Post Optical Lithography
E beam lithography
X ray lithography
4. SPM을 이용한 나노 리소그라피
Mechanical modification
Electric field
Dippen lithography
Near field optical lithography
Electrical modification
5. Nano imprint lithography
6. Soft Lithography
Micro contact printing
REM
SAMIM
Capillary Force Lithography
7. 0.25μm 이하 리소그래피 시장분석
- 본문내용
-
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
(1)clean wafers
세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공정 사이에서 반드시 행해야 하는 것으로, 표면 청정화를 위한 공정이다. 또한 열처리, 산화 등의 공정 전에 행하여지는 것으로 "후처리","전처리"라 불리기도 한다. 이공정은 여전히 약액을 사용하는 웨트 처리가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4, HCI, NH4OH, HF, H2O2 등의 약액 조합에 의해 처리된다. 웨이퍼 세척과 반도체 공정에 전반적으로 사용되는 중요한 화합물이 Di water이다. Di water는 이온, 입자, 박테리아 같은 오염물질을 제거한 매우 순수한 물이다. 이론적으로 순수한 물의 저항은 25℃에서 18.3 Mohm-cm이다. 일반적인 Di water 시스템은 0.25um보다 큰 입자가 없고, 밀리미터당 박테리아 수가 1.2보다 적으면서 저항이 18 Mohm-cm이 되어야 한다.
- 참고문헌
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기술 동향". 해외첨단기술동향조사 최종보고서, 2002.6.
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