[나노기술] 리소그래피의 종류와 문제점 및 해결 방안 -Nano Imprint Lithography
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- 목차
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1. 서론
2.나노 기술의 공정기술
3.위에서 아래로의 접근(Top-down approach)
4. 소프트 리소그래피
5. 나노 임프린트
6. Requirements for Nanoimprint Resist
7. 나노 임프린트의 응용
- 본문내용
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1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으로 더욱 작은 선 폭을 형성할 수 있는 리소그래피 기술을 필요로 할 것이다. 반도체 기술 발전 로드맵인 ITRS 2004에 따르면 2005년을 기준으로 45 nm의 선 폭을 형성하는 리소그래피 기술에서 매년 3~5 nm 선 폭을 줄여가야 하는 기술적 요청이 있으나 명확한 기술 대안은 현재 나타나지 않은 상태이다. 그리고 웨이퍼는 점점 대형화 되는 추세로써 300 mm 이후에 450 mm기술이 대두될 것으로 예상된다. 이러한 선 폭 미세화와 웨이퍼 대형화는 현재 사용되고 있는 광 투사 리소그래피 관련 기술의 가격을 상승시키는 중요한 추세로써 미래 기술 발전에서 가장 먼저 해결해야 할 문제로 지적되고 있다. 또한 최근 급 부상하고 있는 나노 기술과 바이오 기술 등은 새로운 형태의 3차원 구조, 평탄하지 않은 기판, 깨지지 쉬운 기판 사용 등을 필요로 하여 기존의 광 투사 리소그래피 기술만으로는 해결하기 힘들다. 따라서 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 여러가지 형태의 리소그래피 기술들이 제안되어 연구되고 있다.
이 보고서에는 리소그래피의 종류와 문제점 및 해결 방안을 찾아보고 그 대체의 기술로 주목받고 있는 나노임프린드 리소그래피,
주형과 도장 방식을 이용한 나노 구조물 제작에 대하여 알아보고, 현재 기술의 장벽을 뛰어넘기 위하여 어떤 연구를 행하고 있는지 살펴보며 기술의 현황 및 전망에 대해 알아보고자 한다.
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