레포트샵

fileiconPDVF의 문제점과 해결책

이전

  • 1PDVF의 문제점과 해결책1
  • 2PDVF의 문제점과 해결책2
  • 3PDVF의 문제점과 해결책3
  • 4PDVF의 문제점과 해결책4
  • 5PDVF의 문제점과 해결책5
  • 6PDVF의 문제점과 해결책6
  • 7PDVF의 문제점과 해결책7
  • 8PDVF의 문제점과 해결책8
  • 9PDVF의 문제점과 해결책9
  • 10PDVF의 문제점과 해결책10
  • 11PDVF의 문제점과 해결책11
  • 12PDVF의 문제점과 해결책12
  • 13PDVF의 문제점과 해결책13
  • 14PDVF의 문제점과 해결책14
  • 15PDVF의 문제점과 해결책15
  • 16PDVF의 문제점과 해결책16
  • 17PDVF의 문제점과 해결책17
  • 18PDVF의 문제점과 해결책18
  • 19PDVF의 문제점과 해결책19
  • 20PDVF의 문제점과 해결책20
  • 21PDVF의 문제점과 해결책21
  • 22PDVF의 문제점과 해결책22
  • 23PDVF의 문제점과 해결책23
  • 24PDVF의 문제점과 해결책24

다음

  • 최대 100페이지까지 확대보기 서비스를 제공합니다.

> 레포트 > 공학계열 > 자료상세보기 (자료번호:214895)

구매가격
2,000원 할인쿠폰1,800원
등록/수정
2008.10.07 / 2008.10.08
파일형식
fileiconhwp(아래아한글2002) [무료뷰어다운]
페이지수
24페이지
자료평가
평가한 분이 없습니다.
등록자
ultima999
  • 다운로드
  • 장바구니 담기

닫기

이전큰이미지 다음큰이미지
  • 트위터
  • 페이스북
신규가입 200원 적립! + 10% 할인쿠폰 3장지급! banner구매자료를 평가하면 현금처럼 3%지급!

소개글

PDVF의 문제점과 해결책에 대한 자료입니다.

목차

1.
(1)시장조사
현재 메모리 수요와 대처방안



2.
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

원리
정보저장의 원리
강유전성 정보저장
결정성 플라스틱의 구조
PZT와 PVDF의 비교
강유전성 물질의 V-I 관계



3.
(1)
(2)
(3)

PDVF의 문제점과 해결책
일반적인 메모리의 문제점
PVDF 메모리의 문제점
해결책



4.

참고문헌

본문내용

1. 시장조사
(1) 현재 메모리 수요와 대처 방안
시장규모
.「삼성전자 반도체 4분기 매출액, 5조4200억원, 매출 전분기 대비 10% 증가…D램 수요 증가에 힘입어

올 4분기 삼성전자의 반도체 부분 매출은 전분기에 비해 11% 증가한 5조4200억원, 영업이익은 1조6600억원에 이른 것으로 나타났다.삼성전자는 12일 ‘2006년 4분기 경영설명회’를 통해 D램 수요 증가에 힘입어 이 같은 실적을 거뒀다고 밝혔다....」 위의 두 기사와 같이 현재 IT 시장에서 가장 큰 비율을 차지하고 이윤의 가장 큰 증가율을 보이는 것은 메모리 산업이다. 그 중에서도 DRAM 이 현재 주류를 이루고 있다.
또한 계량기나 사무기기용 F램 시장은 대형 반도체 회사가 자원을 집중하기에는 규모가 작은 틈새시장이다. F램이 대형 반도체 회사들이 뛰어들어 승산이 있을 정도로 시장확대를 이루기 위해선 자동차 및 휴대폰 등 휴대기기용 메모리를 대체해야만 한다. S램을 대체할 수 있는 F램 시장으로, 이 경우 집적도를 높이고 전력소모를 낮춰야 하기 때문에 0.10㎛이하의 미세공정 도입을 위한 투자가 활발해질 것으로 전망된다. F램은 디지털 카메라 등에 쓰이는 스마트카드 등등의 분야에 2007년에는 약 230억 달러, 2010년에는 약 350억달 러 규모의 시장이 형성될 것으로 업계는 전망하고 있다. 램트론, 삼성전자ㆍ인피니온ㆍ히타치ㆍNECㆍTIㆍ도시바ㆍ후지쓰ㆍ롬 등 대형 반도체 회사들 역시 새로운 메모리 산업에 뛰어들기 위한 연구를 계속하고 있다.
현재 F램 시장은? 램트론이 시장에 공급하고 있는 256kB F램의 주요 시장은 전기ㆍ수도ㆍ가스계량기와 복합기등 사무기기에 집중되어 있다. 이미 이탈리아에서는 국영전력회사인 에넬(Enel)이 2001년부터 이탈리아 전역의 전기계량기를 기존의 기계식에서 F램을 탑재한 전자식으로 교체하는 초대형 프로젝트가 진행 중이다. F램을 도입한 전자식 계량기는 프랑스ㆍ영국ㆍ슬로베니아ㆍ인도ㆍ중국ㆍ일본으로 확대되고 있다.

여러 종류의 새로운 메모리
M-RAM, F-RAM(또는 Fe-RAM), P-RAM은 기존의 DRAM에서 Refresh 동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 위해서 Capacitor에 다른 개념을 적용한 것이다. 먼저 M-RAM(자기 메모리)의 경우에는 자기(Magnetic)의 성질이 Spin Up, Spin Down 두 가지의 물리특성을 가진 것을 사용하는 것이다. 이러한 개념은 하드디스크에도 동일하게 적용되고 있다. 즉, DRAM의 Capacitor에 전하를 채워주거나 빼는 동작 대신에 M-RAM의 Capacitor에 Spin을 Up 또는 Down으로 만들어 주는 동작을 하는 것이다. Spin의 방향은 외부 자계를 인가하지 않는 한 변하지 않으므로 비휘발성 메모리이다.
Fe-RAM(강유전체 메모리)는 기존의 DRAM과 가장 유사한

참고문헌

※Phsical Properties of Polymers Handbook (James E. Mark)
※Polymer science & Technology (Joel R. Fried)
※http://www.postech.ac.kr/mse/inorganic/classes/electro/presentation/2002/paper/07.pdf
※한국바스프 사이트
※인터넷 화학공학 사이트
※한국과학재단 사이트
※유기금속 화학증착법으로 제조된 고유전율 박막용 Pt 및 RuO2 전극의 특성 분석 (1998 / 서울대학교 대학원 이종명)
※CVD법에 의한 Pt박막 증착 기술 개발 : 2년차 보고서 (1997 / 삼성전자, 서울대학교)
※고유전율 박막기술 연구 (1995 / 한국전자통신 연구소, 서울대학교)
※레이저 공정에 의한 메모리 소자용 강유전체 PZT-PMWSN 박막의 제작 및 특성 연구
= Fabrication and characterization of ferroelectric PZT-PMWSN thin films for memory device using laser processing (2004 / 전창훈, 연세대학교 대학원)
※세라믹스 물성학 (1997/ Yet-ming Chiang, Dunbar Birnie III, W. David Kingery [저] 유광수, 김용석, 김성진 공역, 半島出版社)
※전이금속 촉매를 이용한 기능성 고분자의 합성과 알킬화 반응에 대한 연구 (1998 / 황덕철, 연세대학교 대학원)
※이온 분자선 증착법에 의해 성장된 결정성 anthracene 박막의 물성조사 (1989 / 전기영, 연세대학교 대학원)
※플라즈마를 이용한 친수성 고분자 막 제조 및 특성
= Preparation and characterization of hydrophilic polymer films by plasma polymerization (2001 / 김기환, 연세대학교 대학원)
※플라즈마

태그 강유전체 메모리, 강유 PZT, 전체 결정, 박막 분극, 강유전성 자발분극

도움말

이 문서는 한글워디안, 한글2002 이상의 버전에서만 확인하실 수 있습니다.
구매에 참고하시기 바랍니다.

자료평가

아직 평가한 내용이 없습니다.

오늘 본 자료

  • 오늘 본 자료가 없습니다.
  • img

    저작권 관련 사항 정보 및 게시물 내용의 진실성에 대하여 레포트샵은 보증하지 아니하 며, 해당 정보 및 게시물의 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다. 위 정보 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재·배포는 금지됩니다. 저작권침해, 명예훼손 등 분쟁요소 발견시 고객 센터에 신고해 주시기 바랍니다.