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fileicon[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정

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소개글

[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정에 대한 자료입니다.

목차

문제제기- 목 표- 반도체 웨이퍼 세정공정- RCA법의 원리와 문제점- 1단계 : 고체산 세정 공정- 2단계 : 오존수 세정 공정- 공정 평가 및 분석- 결론

본문내용

문제 제기
- 반도체의 집적도 증가에 따라 미세 오염물 제거 문제

- 기존 RCA법의 오염물 다량 배출 (H2O2,HCL,DI water)
및 고가 운영비

- 지표면 오존의 심각성(오존주의보)


wafer 세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세

정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)

반도체 세정 공정
웨이퍼 세정
-Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정

- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클 제거
Surface Micro Roughness Control

태그 Group No, OH 고체산, 공정 Oxy, 세정 오존수

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