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fileicon[전자공학] 다이오드 특성과 종류

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소개글

[전자공학] 다이오드 특성과 종류에 대한 자료입니다.

하고 싶은 말

그래프와 그래픽 다수 추가

목차

1.반도체

2.에너지대

3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램

4.전자대 정공의 흐름

5.이상적인 다이오드

6.실제적인 다이오드의 특성

7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성

8.Zerner영역

9.실리콘과 게르마늄 다이오드

본문내용

2.에너지대
(a)절연체 (b)반도체 (c)도체
원자의 가전자각은 에너지 준위가 모은 밴드(band) 형태로 구성된다.
가전자에는 그 대 단위만 존재하고, 만일 전자들이 외부 에너지원으로 인하여 충분한 에너지를 얻으면 전자들은 가전자각을 떠나 자유전자가 되면 전도대(conduction band)라고 불리는 곳에 존재하게 된다.
가전자대(valence band)와 전도대 사이의 에너지 차를 에너지 갭(gap)이라고 하며, 이것은
가전자가 가전자에서 전도대로 올라가기 위해 필요로 하는 에너지 양이다.
일단 전도대에 들어간 전자는 물질 내에서 자유롭게 움직이고 어떤 원자에도 속박되진 않는다.
절연체는 매우 큰 에너지 캡을 가지고 있다.
이 경우 물질에 극단적으로 고전압이 가해져 형성되는 항복 상태를 제외하고는 가전자대의 가전자가 전도대로 뛰어 넘지 못한다.
반도체는 아주 좁은 에너지 갭을 갖고 있다.
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
실리콘의 가전자기 핵에 더 가까운 3번재 각에 있는 반면 게르마늄내 가전자들은 4번째 각에 있다.
이것은 게르마늄의 가전자들이 실리콘의 가전자들보다 훨씬 높은 에너지 준위에 있음을 의미한다.
따라서 게르마늄의 가전자가 원자의 속박에서 벗어나기 위한 에너지는 실리콘보다 적다.
그러므로 게르마늄을 실리콘보다 불안정하게 만들며, 게르마늄보다 실리콘이 반도체 물질로 더 널리 사용된다.
n형 반도체
진성반도체에서 전도대의 전자수를 늘리기 위해 5가의 불순물원자(비소,인,비스무스,안티몬)를 첨가한다.
5가 불순물 원자가 4개의 인접 실리콘 원자와 공유결합을 형성한다.
안티몬의 예로 원자의 가전자들 중 4개의 가전자는 실리콘 원자와 공유결합을 이루게 되고 결과적으로 한 개의 잉여전자가 남는다.
이 잉여전자는 어떤 원자에도 구속되지 않기 때문에 전도 전자가 된다.
이와 같이 5가 원자가 한개의 전자를 제공하기 때문에 이 5가 원자를 흔히 도너원자(donor atom)라고 부른다.

참고문헌

전자회로

태그 다이오드, diode, 다이오드 특성

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