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소개글

[플래시메모리] 플래시메모리에 관한 심층연구에 대한 자료입니다.

목차

목 차
1. 플래시 메모리 정의

2. 플래쉬메모리의 특성

3. 플래시 메모리 종류와 특징
1) 컴팩트 플래쉬 (Compact Flash : CF)
2)마이크로 드라이브 (Micro Drive)
3) 메모리 스틱 (Memory Stick : MS)
4) 스마트미디어 카드 (Smartmedia : SM)
5) SD 카드(Secure Digital Card)
6) 멀티미디어 카드(MultimediaCard)

4. 플래시 메모리와 하드 디스크 드라이브 비교

5. 플래시 메모리 적용 분야

6. 플래시 메모리 시장 업계 동향

7. 플래시 메모리 세계 시장 현황 및 전망

본문내용

06년에는 65nm 4Gb 제품, 07년에는 1cell에 4Bit를 격납할 수 있는‘Quad Bit’를 적용한 8Gb 제품의 시장투입으로 NAND를 선도하는 「삼성전자」나 「도시바」를 맹추격할 계획이다. 이러한 제품을 실용화해 나가는 데 있어서 중요한 기술이 ORNAND이다. Mirror Bit 테크놀로지를 베이스로 하기 때문에 고속 쓰기·읽기를 실현할 수 있다. 특히 쓰기 속도는 기존 NAND의 2~4배라고 한다.
4) Intel : Intel은 대용량 NOR형 플래시의 미세화를 가속화한다. 현재 130nm 프로세스에 의한 양산이 주류이지만 90nm 제품이 본격 출하를 맞는다. 특히 NOR형이지만 512Mb 제품 등 대용량 제품의 시장투입을 서두르고 있다. Intel은 제5세대 다치화(多値化) 기술을 적용, 로드맵 상으로는 06년에 65nm 제품, 07년에는 45nm 제품을 샘플 출하할 예정이다. 금후에는 바야흐로 300mm 웨이퍼의 적용도 농후하다. 비트 환산율로서는 이미 04년에 이 다치화 제품이 80%를 차지하는 등 완전히 주역이 되었다. 휴대전화용 등의 사진·동화 대응이나 일부 프로그램 격납에 대응한 제1세대 DATA NOR의 대용량판도 이미 130nm 프로세스를 통해 256Mb 제품이 출하되고 있다. 어디까지나 프로그램 격납 등의 기기 부품용으로서의 전개를 목표로 하며 예를 들면 NAND 플래시라는 Data Storage계의 제품과는 분명히 구분짓는다.
5) 르네사스테크놀로지 : 르네사스테크놀로지는 프로그램 격납용 NOR형과 더불어 메모리 카드용 Data Storage용 AG-AND 등을 라인 업한다. 현재 주력은 Data Storage용 1~2Gb로 이행 중이다. 1년 전에는 월 5만개에 머물렀지만 04년 말에는 월 230만개로 끌어올렸다. 또한 DSC나 휴대용 부품용으로 super AND도 취급하고 있으며 주력은 128Mb, 256Mb, 512Mb이다. 대용량 4Gb 제품은 제4대째 다치화 기술에 돌입, 05년 중반에 90nm로 양산에 들어간다. 또한 8Gb 제품은 65nm 프로세스로 06년 4/4분기에나 양산을 시작한다. 현재의 주 프로세스는 130nm이다. 3년 후 애플리케이션의 구성비율로서 ‘메모리 카드, 음악 플레이어·휴대용 등의 부품용도, USB 메모리’가 각각 약 1/3씩을 차지했으면 하는 바램을 갖고 있다.
6) STMicroelectronics : STMicroelectronics는 플래시 메모리 사업으로서 NOR형, NAND형을 전개하고 있다. NOR형으로서는 Single Bit 대응 1~128M 제품, Multi Bit 대응 128/256M 제품을 제품화했다. 1/4M 제품이 HDD나 OA기기, 8/16M 제품이 DVD, 16/32M 제품이 DSC, 64~256M 제품이 휴대전화, 256M 제품이 슬롯머신용으로 출하되었다. NAND형으로서는 1~256M 제품을 라인 업하여 메모리 카드용으로 128~512M, USB 메모리용으로 512M 제품, IC 레코더나 DTV 및 DVD 레코더용으로 128M, 256M 제품이 출하되었다.

태그 플래시메모리, 플래시 메모리, 플래쉬메모리, 플레시메모리, 메모리

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