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fileicon[신소재 공학] SE, BSE 차이점, EDS에 대하여

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소개글

[신소재 공학] SE, BSE 차이점, EDS에 대하여에 대한 자료입니다.

목차

▣ SE(Secondary Electron)와 BSE(Back Scattered Electron)의 차이점
■ BSE(Back Scattered Electron)란?
■ SE(Secondary Electron)와 BSE(Back Scattered Electron)의 차이
1. 거동면 (탄성산란과 비탄성 산란)
2. 조사된 전자의 에너지
3. Atomic Number Contrast (Material Contrast)
4. Topographic Contrast
5. Edge Contrast
▣ EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)에 대하여

본문내용

보통 SE라고 하는 것은 이차 전자, 혹은 자유 전자를 말한다. 예를 들어 금속면에 어느 에너지 이상으로 가속된 전자를 충돌시키면 금속 내부의 전자가 그 에너지의 대부분을 흡수하여 일함수 이상의 에너지를 가지게 되어 금속 바깥으로 방출되는데 이 현상을 2차 방출이라고 한다. 이때, 금속에 충돌시킨 전자를 1차전자(Primary Electron), 충돌에 의해 방출된 전자를 2차전자(Secondary Electron)라 한다. 2차 전자 방출은 1차 전자의 입사 조건에 따라 그 양과 방출되는 특징이 달라지며, 이는 TV의 촬상관이나 전자증배관에 사용된다.

■ BSE(Back Scattered Electron)란?
- BSE는 SE와 비슷하게 금속면에 전자를 충돌시켰을 때 금속 내부에 있던 전자가 그 에너지의 대부분을 흡수하고 튀어 나오는데, 그 전자를 BSE라고 한다. 이것은 SE와 비슷하게 취급하지만 그 성질이나 용도가 다르기 때문에 SE와 구별된다.

■ SE(Secondary Electron)와 BSE(Back Scattered Electron)의 차이
<방출되는 전자에 따른 용도><방출되는 전자에 따른 시편의 투과정도> - 이 두 전자는 보통 주사전자현미경(SEM)의 원리에서 중요하게 생각되는 요소로써, 시료에 1차 전자가 조사되면 2차전자(Secondary Electron) 및 X-ray, 후방산란전자(Back Scattered Electron)등이 방출되게 되는데 이것들은 시료의 정보를 가지고 있으므로 시료의 특징을 파악하는데 중요한 요소가 된다. 이 두 전자의 가장

되므로 contrast의 차이가 나타난다. 반대로 말하면 SEM을 이용해서 각 부분이 서로 다른 조성을 이루고 있음을 알 수 있는 것이다. SE Mode에서 Atomic Number Contrast는 에 의한 차이는 거의 없다.

4. Topographic Contrast
- 가장 현저한 contrast 효과는 secondary electron yield와 back-scattering coefficient가 시편 표면과 입사빔이 이루는 각도에 상당히 의존적이라는 것이다. 즉, 2차전자 발생 효율에 미치는 인자로서 입사전자빔이 시편의 면과 이루는 각도를 생각할 수 있는데, 만일 입사빔에 시편면과 90도의 각도로서 충돌하게 되면 전자빔이 시편내로 깊게 침투하게 되고 따라서 시편 내부에서 발생한 2차전자들이 시편 바깥으로 나올 수 없게 된다. 반대로 입사빔

EDS는 SEM을 구성하는 장비중 X-Ray를 Detect 하는 장비이다. SEM이나 TEM에서 시료에 가속된 전자로 인해 SE, BSE 및 X-Ray가 발생하는데, 이때 발생하는 X-Ray를 이용하여 시료의 화학성분과 양을 분석하는 장비가 EDS분석기이다. 시료에 조사된 전자가 X-선을 발생시키는 원리는 옆의 그림과 같다. 즉, 원자핵과 특정한 결합에너지로 구속되있는 시료에 임계에너지보다 높은 에너지의 가속전자를 때리면 에너지 준위가 낮은 K각에서부터 전자가 떨어져 나가게 되는데

태그 SE, BSE, EDS, SEM 원리

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